电动力学一三(电磁场边值关系-电磁场能量和能流).pptVIP

* 第三节 电磁场边值关系 麦克斯韦方程组可以应用于任何连续介质内部。在两介质分界面上，由于一般出现面电荷电流分布，使物理量发生跃变，微分形式的麦氏方程组不再适用。 在场作用下，介质界面上一般出现面束缚电荷和电流分布，这些电荷电流的存在又使得界面两侧场量发生跃变。 因此，我们要用另一种形式描述界面两侧的场强以及界面上电荷电流的关系。 图(b): 束缚电荷激发的场与外场E0叠加后得到总电场。两边的电场E1和E2在界面上发生跃变。 图(a): 介质与真空分界的情形，在外场E0的作用下，介质界面上产生面束缚电荷，这些束缚电荷本身激发的电场在介质内与E0反向，在真空中与E0同向。 边值关系就是描述两侧场量与界面上电荷电流的关系。由于场量跃变的原因是面电荷电流激发附加的电磁场，而积分形式的麦氏方程可以应用于任意不连续分布的电荷电流所激发的场，因此研究边值关系的基础是积分形式的麦氏方程组。 一、法向分量的跃变 麦氏方程组的积分形式为 If 为通过曲面S 的总自由电流，Qf为闭合曲面内的总自由电荷。把这组方程应用到界面上可以得到两侧场量的关系。 把总电场的麦氏方程应用到两介质边界上的一个扁平状柱体。上式左边的面积分遍及柱体的上下底和侧面，Qf和Qp分别为柱体内的总自由电荷和总束缚电荷，它们等于相应的电荷面密度?f 和?p乘以底面积?S。当柱体的厚度趋于零时，对侧面的积分趋于零，对上下底面积分得(E2n?E1n) 。 通过薄层右侧面进入介质2的正电荷为P2?dS ，由介质1通过薄层左侧进入薄层的正电荷为P1?dS ，因此，薄层内出现的净余电荷为?(P2 ? P1)?dS ，以?P表示束缚电荷面密度，有 由此 n为分界面上由介质1指向介质2的法线 两式相加 极化矢量的跃变与束缚电荷面密度相关，Dn的跃变与自由电荷面密度相关，En的跃变与总电荷面密度相关。 利用 实际上主要应用关于Dn的边值关系式 Dn的跃变式可以较简单的由麦氏方程组的积分形式直接得出 由于侧面的积分趋于零，得 在扁平状区域上应用 对于磁场B，在边界上的扁平状区域上应用积分形式的麦氏方程 二、切向分量的跃变 面电荷分布使界面两侧电场法向分量发生跃变，我们可以证明面电流分布使界面两侧磁场切向分量生跃变。我们先说明表面电流分布的概念。 1 面电流分布 面电流实际上是在靠近表面的相当多分子层内电流的平均宏观效应 定义电流线密度?，其大小等于垂直通过单位横截线的电流。如图界面的一部分，其上有面电流，其线密度为?，?l为横截线，垂直流过?l段的电流为 由于存在面电流，在界面两侧的磁场强度发生跃变。如图，在界面两旁取一狭长形回路，回路的一长边在介质1中，另一长边在介质2中。长边?l与面电流?正交。 2 切向分量的跃变 在狭长形回路上应用麦氏方程 取回路上下边深入到足够多分子层内部，使面电流完全通过回路内部。从宏观来说回路短边的长度仍可看作趋于零,因而有 其中t表示沿?l的切向分量。通过回路内的总自由电流为 由于回路所围面积趋于零，而?D/?t为有限量，因而 代入 得 上式可以用矢量形式表示。设?l为界面上任一线元，t为?l方向上的单位矢量。 流过了?l的自由电流为 对于狭长形回路用 得 由于?l为界面上任一矢量，因此 上式再用n矢乘, 注意到 磁场切向分量的边值关系 //表示投射到界面上的矢量 此式表示界面两侧E的切向分量连续。 可得电场切向分量的边值关系： 同理，应用 以后在公式中出现的?和?, 除特别声明者外，都代表自由电荷面密度和自由电荷线密度，不再写出角标f。总括我们得到的边值关系为 这组方程和麦氏方程积分式一一对应。边值关系表示界面两侧的场以及界面上电荷电流的制约关系，它们实质上是边界上的场方程。 例 无穷大平行板电容器内有两层介质(如图)，极板上面电荷密度??f，求电场和束缚电荷分布。 由对称性可知电场沿垂直于平板的方向，把边值关系应用于下板与介质1界面上，因导体内场强为零，故得 同样，把边值关系应用到上板与介质2界面上得 解 由这两式得 束缚电荷分布于介质表面上。在两介质界面处， ?f=0 由 得 在介质1与下板分界处 在介质2与上板分界处 容易验证 由 得 介质整体是电中性的 证明： 将积分形式的电荷守恒定律， 应用到图中的扁平小柱体上，注意对于实际导体电流都是体分布的，在柱体侧面上的积分是零。在导体面薄层中的电荷可以看作是面电荷分布，体分布的电荷由于柱体积趋于零，实际上就是分界面上的电荷，于是得出电流法向分量的边值关系： 例1：证明在导体界面上电流法向分量满足边值关系