二氧化钒和三氧化二钒的研究进展.pdfVIP

无 机 2 化FOFINORGANICO学RG 学C CHEMISTRYM报I ’曲·?uu3 第0期只 CHINESEJOURNAL 牛 2月 ●、‘㈣’qt §综述§ +§m≈。』 二氧化钒,n--氧化二钒研究进展 何 山1 韦柳娅2傅群2林晨2雷德铭1郑臣谋+2 (中山大学。物理系．2化学系，广州510275) VO，和V：0，足优异的光、电、磁热敏材料，在多种技术领域中具有广阔的应用前景，已成为国内外新颖功能材料研究的热 点之一。本文综述rVO：和V：(】，的粉体、陶瓷和薄膜的研究进展，并对相关问题进行讨~仑。 关键词 二氧化钒 三氧化二钒 制备 性能 分类号 0614511 O引 言 此可制成膜材料。这种膜材料不仪具有上述电学特 性，而且具有特殊光学特性。图2是在硅衬底E的 自从1959{I：Morin”1发现V02相变特性以来， VOz膜在室温和373K时的光透射率和反射率曲 对VO：的研究一直在不断进行，近期更成为研究热 线”】。从网2可见，vo二膜梢变前后光透射率和反射 点。VO：在340K附近由低温半导体单斜晶相转变为 率的差别主要出现在红外区域。这种性质使它成为 高温金红石四方晶金属相，并伴随着电阻率、磁化 “智能窗几”材料的优先候选材料，特别是掺Mo、W 率、光透射率和反射率的突变。由于这些物理性质 的低疋掺杂膜。当室内温度低干7：叫，太阳光中的 的突变十分优异，例如单晶VO：在01K区间电阻 大部分红外光通过半导体态的膜，使室内温度升 率突变高达5个数量级，高温端金属相电阻率为 高。当温度达到t时，膜由半导体态十Ⅱ变为金属态， 106n·nl”l，因具有卓越的性能，它们在微电子和 红外光透过率大大降低，使室温保持恒定。利用VO： 光电子领域具有众多的应用。VOz是所有相变材 的这些性质，还可以制备可擦写随机存储材料(光 料中相变温度(疋)最接近室温的材料。在VO，中每 掺入1％w或Mo原于时，疋分别降低26K和ll K【3，“，这使得这种材料适宜于室温条件下使用。图1 表明VO：材料电阻率一温度关系曲线。这是一种负 温度系数(NTC)临界温度电阻(CTR)材料，具有很 好的升关特性。在多晶VO：中，电阻突跃比单晶减少 l～2个数量级。同时由图1升降温曲线围成的热滞 网线宽度增大，这是由于多晶晶粒间界导致晶相转 换传播不连续所致，需要额外的热能去推动，才能使 相变越过晶界”j。这是多晶开关特性较单晶差的原 因。当VO。掺人Mo或W原子时，材料R减少的同 时，电阻突变的开关特性也降低，归因于掺杂原子填 圈1 VO：电阻率．温度曲线 充VO：品格间隙的存在”j。VO：属于体效应材料，因 1 VO Fig Resistivity’stemperature如T 收稿13期：2002．08—06。收修改稿只期：2002．0