基于MEDICI的深亚微米NMOSFET热载流子效应研究.pdfVIP

热载流子效应研究 胡伟佳1．2孔学东2章晓文2 1．广东工业大学材料与能源学院广州510006； 10610 2．工业和信息化部电子第五研究所广州5 摘 要 基于MEDICI模拟软件，研究不同栅氧化层厚度和有效沟道长度对深亚微米NMOS器件的热载流 子效应的影响。结果表明了，器件的热载流子效应随着栅氧厚度和沟道长度的缩小而变得越来越严重。此 外，证实了在Ih热载流子应力下界面态的产生是导致器件性能退化的主导因素。指出了电子迁移率减少和 阈值电压增大是导致深亚微米NMOSFETs电学特性退化的根本原因。 关键词 MEDICI界面态产生电子迁移率热载流子效应 中图分类号TN386．1 文献标识码A 文章编号 onHotCarrierEffectof Study on NMOSFETbasedMEDICI