N型GaN持续光电导.pdfVIP

　第 20 卷第 5 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 5　 V o l N o 　1999 年 5 月　　　　　　 　　　　　 　 , 1999　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S M ay N 型 GaN 的持续光电导 1 汪连山　刘祥林　岳国珍 　王晓晖　汪　度　陆大成　王占国 ( 中国科学院半导体研究所材料科学实验室　北京　100083) ( 1 中国科学院半导体研究所表面物理实验室　北京　100083) 摘要　 本文报道了金属有机物化学气相外延( ) 生长的未人为掺杂和掺 的 M OV PE Si n GaN 持续光电导(Persistent Pho toconductivity——PPC ). 在不同温度下观察了光电导的产生和衰 变行为. 实验结果表明, 未人为掺杂和掺 的持续光电导和黄光发射可能起源于深能 Si n GaN 级缺陷, 这些缺陷可以是 空位、 反位或者 络合物. 和未人为掺杂样品 相比, 样 V N V Si A Ga Ga Ga Ga 品B 中因 Si 的并入导致GaN 中的深能级缺陷增加, 提高了 GaN 中黄光发射, 使持续光电导 衰变减慢, 但实验未发现黄光的加强和光电导衰变特性与两样品生长温度有明显关系. 随测量 温度的增加, 持续光电导衰变加快, 衰变曲线能用扩展指数定律进行拟合. PACC: 7240, 8105E , 7155E 1　引言 GaN 及其合金是最有前景的 族半导体材料之一. 其能带隙宽度为 195eV ( InN ) ( ) ( ) [ 1 ] ～ 34eV GaN ～ 62eV A lN , 可用于制作从可见光到紫外波段的发光器件 . 族氮 [ 2 ] 化物因其高温稳定性和高饱和迁移速率, 也能用于制作高温下使用的大功率电子器件 . 由 于实际应用前景和市场需求, 族氮化物越来越受到人们的注意. 缓冲层技术的利用和 工艺条件的优化[ 3, 4 ] , 促使氮化物材料和器件迅速发展, GaN 基蓝绿色发光二极管已经商品 [ 5 ]