基于侧壁压阻式位移传感器研制及应用.pdfVIP

第 卷 第 期 半 导 体 学 报 ２９ ８ 犞狅犾．２９ 犖狅．８ 　 　 　 　 　 　 年 月 ， ２００８ ８ 犑犗犝犚犖犃犔犗犉犛犈犕犐犆犗犖犇犝犆犜犗犚犛 犃狌．２００８ 犵 基于侧壁压阻式的位移传感器研制及应用 ，， １ １２ １ ２ 孙立宁 王家畴 荣伟彬 李欣昕 　 　 　 （ 哈尔滨工业大学先进机器人与系统国家重点实验室，哈尔滨 ） １ １５０００１ 　 （ 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 传感技术国家重点联合实验室，上海 ） ２ ２０００５０ 　 摘要：为了提高面内运动位移检测的灵敏度和改善侧壁压阻工艺与其他工艺间的兼容性问题，研究了一种可用于面内运 动位移检测的传感器，提出了利用离子注入工艺和深度反应离子刻蚀（ ）工艺相结合制作检测梁侧壁压阻的方法 侧 犇犚犐犈 ． 壁压阻式位移传感器的灵敏度比在检测梁表面制作压阻的传统位移传感器高近一倍 同时把位移传感器集成到基于体硅 ． 工艺的纳米级定位平台上，实验测试表明，这种位移传感器加工技术可以很容易地与其他工艺相兼容，位移传感器的灵敏 度优于 ／ ，线形度优于 ，分辨率优于 ０９０３犿犞 犿 ０８１４％ １２３狀犿． μ 关键词：微机电系统；侧壁压阻；定位平台；反应离子刻蚀；位移传感器 ： ； ； 犘犃犆犆 ０６７０犇 ２９４０犜 ２９４０犘 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） 犜犘２１２ 犃 ０２５３４１７７２００８０８１５８９０６ 　　　 　　　 该晶向垂直方向上的两个弹性检测梁分别组成两对位 １ 引言 移传感器的弹性检测元件，利用体硅工艺把压敏电阻分 　 别制作在检测梁的外侧壁表面，当检测梁沿〈 〉晶向