GaN、AlN形变势和应变层GaNAlN异质结带阶计算.pdfVIP

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2017-08-31 发布于安徽
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GaN、AlN形变势和应变层GaNAlN异质结带阶计算.pdf

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　第 20 卷第 1 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 1　 V o l N o 　1999 年 1 月　　　　　　　　　　　　 . , 1999　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S Jan 、的形变势和应变层 GaN A lN 异质结带阶的计算 GaN A lN 何国敏　王仁智　吴正云　郑永梅　蔡淑惠 ( 厦门大学物理系　厦门　361005) ( ) 摘要　本文采用混合基矢从头赝势能带计算方法研究了 001 界面应变对、应变层 GaN A lN 的能带、平均键能E m 和带阶参数 Em v 的影响. 借助于带阶参数形变势的计算, 预言了不同生长厚度情况下应变层异质结价带带阶和导带带阶. GaN A lN : 7125 , 7125 PACC C T 1　引言 [ 1 ] 在异质结能带排列的平均键能理论计算方法中 , 价带带阶由带阶参数 E m v = E m - E v 确定, 为价带顶, 平均键能是布里渊区( ) 中所有允许点的 4 个价带与 4 个较低 E v E m BZ k ( ) 导带共 8 个能带本征值的平均值: 8 1 E m = E n (k ) ( 1) 8N ∑∑ n= 1 k 采用能带计算方法分别计算、两种材料的能带结构和平均键能之后, 就可以根据平均键 A B 能在异质结中“对齐”由两种材料的带阶参数确定异质结的价带带阶: A B E ( B ) ( ) ( ) ( )