碳热还原氮化制备氮化硅粉体反应条件研究.pdfVIP

第 28卷第 1期 粉末冶金技术 Vo1．28，No．1 2010年 2月 PowderM etallurgy Technology Feb．2O1O 碳热还原氮化制备氮化硅粉体 反应条件研究 陈 宏 ，一 穆柏春 ～ 李 辉 郭学本 ’ 1)(辽宁工业大学材料与化学工程学院，辽宁锦州 121001) 2)(辽宁石化职业技术学 院，辽宁锦州 121001) 摘 要 ： 对二氧化硅碳热还原氮化合成氮化硅 的反应体系进行 了热力学和动力学分析 ，主要研究了反应温 度和氮气流量对 Si，N 、SiNO和SiC生成 的影响。热力学研究表 明，Si，N 的生成需要足够高的温度 (高于 l800K)和充足的氮气气氛 ；si，NO的生成条件是较低的温度 (低于 1700K)和不充足的氮气气氛；SiC的生成 条件是更高的温度(高于 2000K)和不充足的氮气气氛 。试验研究验证 了热力学的分析 ，并确定了碳热还原 氮化合成氮化硅的主要工艺条件 (氮气流量为 3L／min、煅烧温度为 1500~)。在 以上工艺条件下，可制备出 纯的 si，N 粉体 。 关键词 ：碳热还原 ；氮化硅 ；氧氮化硅 ；碳化硅 ；粉体 Studyofpreparation conditionsofSi3N4powders bycarbotherm alreduction Chen Hong ) M u Baichun” LiHui” GuoXueben”。) ， ， ， 1)(CollegeofMaterialandChemicalEngineering，LiaoningUniversityofTechnology，JinzhouLiaoning121001，China) 2)(LiaoningPetrochemicalVocationalandTechnologyCollege，JinzhouLiaoning121001，China) Abstract：The thermodynamics and kinetics ofreaction system used in preparing silicon nitride powderby carbothermalreduction wereanalyzed． Effectsofreaction temperatureand nitrogen flow rateon thegeneration of Si3N4，Si2N2O and SiC powderswere investigated． Itshowsthattheconditionsofpreparation arehigh enough temperature(1800K)andadequatenitrogenforSi3N4，lowertemperature(1700K)andnotenoughnitrogenfor Si2N2O，highertemperature(2000K)andnotenoughnitrogenforSiC．Thethermodynamicanalysisisconfirmedby theexperimentalresearch．TheoptimaltechnicalparametersofSi3N4powderpreparation arenitrogenflow rateof3L／ minandreactiontemperature150