电子束蒸发沉积制备碳化硼薄膜的化学结构研究.pdfVIP

2014年5月 四川大学学报(自然科学版) 1卷 ofSichuan 第5 第3期 Journal ScienceEdition) V01．51 No．3 University(Natural 6756．2014．03．27 doi：103969／j．issn．0490 电子束蒸发沉积制备碳化硼薄膜的化学结构研究 苏明甫1，廖志君h2，谢兰东，于小河1，林涛1，伍登学h2，卢铁城h2 摘 射红外光谱(ATR cm，1660 究在不同基片温度和束流下对薄膜结构的影响．分析表明：薄膜中均含有1170 cm_。两个特征峰，分别对应于碳化硼中正二十面体和三原子链的结构．不同基片温度对薄膜 化学结构无影响；而不同束流，形成的结构不同，主要体现在碳化硼的特征结构(三原子链和 aKZ-十面体)的形