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第33卷 第5期 固体电子学研究与进展 V01．33，No．5 2013年10月 RESEARCHPROGRESSOFSSE 0ct．．2013 j、pup、p。、p、、p。叶 1材料与工艺《 7k《cs、tc。_f冉一_f(·0 电子束蒸发金膜速率分析 邹鹏辉。 陈舒恬 高建峰 耿 涛 (南京电子器件研究所，南京，2i0016) 20I307—02收稿，2013-07—29收改稿 摘要：在不同的蒸发速率下沉积300nm的Au薄膜．研究蒸发速率对薄膜表面形貌和性能的影响。随着蒸发 速率的提高，薄膜的结构变得致密，晶粒尺寸和表面粗糙度减小。金薄膜方阻随着蒸发速率提高无明显变化，而方 阻均匀性变差，但在可接受的范围内。但蒸发速率过高会引起金属大颗粒增多。因此，选用适合的蒸发速率对Au 膜质量有很大影响。文中的初步结果可对改善电容特性和提升器件性能提供参考。 关键词：电