电沉积Cu-In-Ga金属预制层的硒硫化研究.pdfVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 23 (2013) 238801 电沉积Cu-In-Ga 金属预制层的硒硫化研究* † 张超 敖建平 毕金莲 姚立勇 孙国忠 周志强 何青 孙云 ( 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所, 天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室, 光电信息技术科学教育部重点实验室, 天津 300071 ) ( 2013 年7 月1 日收到; 2013 年9 月7 日收到修改稿) 以H S 气体作为硫源、固态蒸发硒蒸气作为硒源对电沉积Cu-In-Ga 金属预制层进行硒硫化处理. 通过电沉积 2 Cu-In-Ga 金属预制层在不同衬底温度下硒化、硫化和硒硫化的对比实验, 发现CuInS2 相和CuIn(S,Se)2 相优先生 成, 抑制了CuInSe2 相的生成, 促使InSe 相薄膜向内部扩散, 减弱了薄膜两相分离现象. 采用先硒化后硒硫化处理工 艺优化了Cu(In,Ga)(S,Se)2 薄膜的制备工艺, 在250 ◦C 预硒化得到了开路电压为570 mV 的太阳电