《2013-2017年中国手机射频市场调研与投资前景预测报告》.docVIP

2013-2017年中国第一章 手机射频基本概况 1 第一节 手机射频 1 一、射频电路结构 1 普通手机射频电路由接收通路、发射通路、本振电路三大电路组成。其主要负责接收信号解调；发射信息调制。早期手机通过超外差变频（手机有一级、二级混频和一本、二本振电路），后才解调出接收基带信息；新型手机则直接解调出接收基带信息（零中频）。更有些手机则把频合、接收压控振荡器（RX—VCO）也都集成在中频内部。 射频电路方框图 资料来源：智研数据中心整理 二、射频半导体工艺 1 射频半导体工艺——GaAs 半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍，非常适合用于高频电路。砷化镓组件在高频、高功率、高效率、低噪声指数的电气特性均远超过硅组件，空乏型砷化镓场效晶体管(MESFET)或高电子迁移率晶体管(HEMT/PHEMT)，在3 V 电压操作下可以有80 %的功率增加效率(PAE: power addedefficiency)，非常的适用于高层(high tier)的无线通讯中长距离、长通信时间的需求。 砷化镓元件因电子迁移率比硅高很多，因此采用特殊的工艺，早期为MESFET金属半导体场效应晶体管，后演变为HEMT(高速电子迁移率晶体管)，pHEMT(介面应变式