SiCPCu电子封装复合材料热物理性能研究.pdfVIP

， SiCP／Cu电子封装复合材料热物理性能研究 武高辉，朱德智，陈国钦，张强 (哈尔滨工业大学材料科学与工程学院，哈尔滨150001) 摘要采用挤压铸造方法制备了体积分数为55％、不同颗粒粒径增强的电子封装用 SiCP／Cu复合材料，并分析了颗粒尺寸和热处理状态对材料热物理性能影响的规律。显微组 织观察表明：复合材料颗粒分布均匀，材料组织致密；复合材料的热膨胀系数随着SiC颗粒尺 寸的减小而降低，这是因为大量的界面约束了基体和增强体的热膨胀行为；Kemer模型较好 地描述了复合材料内部的热应力状况，其预测值和实测值接近；随着颗粒尺寸的减小，热导率 也随之下降，这与增强体／基体界面的界面热阻增加有关；退火处理可以减小降低复合材料的 热膨胀系数，同时提高材料的热导率。 关键词 电子封装SiC，／Cu复合材料热膨胀性能导热性能 0 引言 金属基复合材料以其优异的综合性能在航空、航天、先进武器、汽车等领域有广泛的应用，已成为国内外 十分重视发展的先进复合材料u，2J。金属铜的导热性能比铝高，且热膨胀系数比铝更低，因此，SiC：r／Cu相对 于当前研究较为广泛的电子封装用铝基复合材料更具有竞争优势。 或陶瓷基片材料相匹配的热膨胀系数，要求复合材料必须具备高体积分数的增强相。粉末冶金法H’51是制 备高体积分数复合材料中使用最普遍的方法，但存在致密度低、杂质多、均匀性差等缺点，这对电子封装材料 的热物理性能有着严重的影响。 本文采用挤压铸造工艺制备了不同增强相颗粒尺寸的SiC，／Cu复合材料，并分析了颗粒尺寸和热处理 状态对材料热物理陛能影响的规律。 1材料制备与试验方法 本文选用高导热的工业纯铜为基体、SiC为增强体颗粒，其体积分数为55％，颗粒粒径分别为10斗m、20 J。 I．tm、63斗m，采用挤压铸造技术制备SiC，／Cu复合材料M 铸态SiC，／Cu复合材料的光学显微组织采用OLYMPUSPMG3照相机观察。复合材料的退火工艺为： 700℃真空退火，保温1．5h，随炉冷却。 min。复合材料的热导率采用TCT416型热导率测试仪测定，测试温度范围为20—60℃，试样尺寸为 mln×35 66 mm(4-0．3mm)。 2结果与讨论 2．1微观组织观察 从图1可以看出：SiC颗粒宏观上为尖角形的不规则形状，颗粒分布均匀，无颗粒团聚现象。从整体上 看，复合材料的组织均匀、致密，而较高的致密度为复合材料的热导率、气密性和力学性能提供了基础保证。 ·648· (a)10pm(b)20txm(c)63pm 图l SiCP／Cu复合材料的光学显微组织 2．2热膨胀性能 图2为3种不同颗粒尺寸的SiCp／Cu复合材料在 20～1000C的平均线膨胀系数。从中可以看出，10p．m与 20斗mSiCP／Cu复合材料的热膨胀系数较为接近，而与63 p 灿mSiCP／Cu复合材料的热膨胀系数差别较大，且复合材 》 b 料的热膨胀系数随着颗粒尺寸增加而增加。 一 × 山 SiC，／Cu复合材料是由均匀、弥散分布的增强相SiC 卜 U 颗粒和基体连续相cu组成。当温度变化时，SiC颗粒和基 体铜的热膨胀互相制约，最终导致复合材料中出现复杂的 内应力，而内应力将抑制或促进材料的热膨胀。本文分别 用混合定律(ROM)，Turner模型和Kemer模型对55％ SiCp／Cu复合材料的热膨胀系数进行理论预测