MOSFET和IGBT并联软开关技术的仿真研究.pdfVIP

何凯 王永 北京航空航天大学(北京100083) 技术在有源箝位正激式电路中的应用特性，验证了该技术的优越性。 关键词：并联软开关有源箝位仿真 1橱述 导通期间有相对较大的导通电阻的缺点，因此，在大电流场合下，导通损耗将变得相当可 难达到完全的匹配，所以器件并联应用时还是会有不均流问题。 量大。同时，它的通态压降比较低，且受电流、电压等因素的影响较小，因此，在高压大电流场 大．限制了开关频率的提高。 为了在高频情况下利用IGBT的导通损耗低这一特点，美国弗吉尼亚电力电子中心的 降低了开关管上的开关损耗，提高了功率管的开关频率和系统的效率。 2 IGBT和MOSFET软开关在单端正激有源箝位电路的实现 作的示意图如图1所示。(图1中sl为MOSFET，S2为IGBT) 图l并联工作的原理图 MOSFET和IGBT并联工作原理分析如下：(波形见图1) Is，两管的导通压降被S2箝位。由于S2在Sl开通之后开通，S2实现了零电压开通。 趋于零，IsI上升到Is．由于s2是在s1导通时关断，S2实现了零电压关断。 T3时刻之前，S1和s2都处于关断状态。T3时刻新的周期开始。 为验证这种并联技术的可行性，笔者将其应用于有源箝位正激式功率变换电路中，并进 MOSFET) l r。 7 l ；l ● ．1 。 | ‰+口 } 、 ● f l‰ l』 卜 l -L／＼ ＼ ／ ＼ ／ 、， 甲 图2采用并联技术的有源箝位正激式电路 图3主要电量波形 有源箝位正激式电路工作原理分析”I：(波形见图3) 开关，等效电路如图4(a1所示。 通、D2关断状态，等效电路如图4(b)所示。 这时变压器副边二极管Dl关断、D2导通，c1继续被充电，等效电路如图4(c)所示。 二极管对Cc充电，励磁电流线性减小，在此期间sc开通，由于其体内发反并联二极管导 通，sc两端电压为零，sc实现了的零电压开通，等效电路如图4(d)所示。 图4(d)。 降，等效电路如图4(e)所示。 C1电压降为零，应使励磁电流足够大，可以通过给变压器加气隙减小原边励磁电感的方法 来实现，等效电路如图4(0所示。 时刻之前Sl可实现零电压开通，tB时刻开始下一个周期，等效电路如图4(g)所示。 4 嘤哩俘 (d)t·～c．·l·～“ (f)I．～“ (g)“～“(“) 图4 各时间段的等效电路拓扑 极管导通时开通，实现了零电压开通，主功率管SI的软开通，可以通过调整变压器的气隙 增大励磁电流来得到实现。 3仿真实验 术时的开