一种低损耗SiGe脊形光波导结构和设计.pdfVIP

　第 20 卷第 10 期 半　导　体　学　报 . 20, . 10 V o l N o 　1999 年 10 月 . , 1999 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S O ct 一种低损耗 SiGe 脊形光波导的结构和设计 施　斌　蒋最敏　王　迅 ( 复旦大学应用表面物理国家重点实验室　上海　200433) 摘要　本文提出了一种 Ge 含量在波导厚度方向渐变的 SiGe 光波导, 对这种波导进行了模式分 析, 给出了进行单模波导设计的方法, 并与成分均匀的 SiGe 光波导进行了传输损耗的比较, 发 现这种波导具有更小的传输损耗. : 4280 PACC L 1　引言 SiGe 脊形波导作为全硅基光电集成最基本的部分, 其特性对整个光路的特性有着重要 影响, 而它的传输损耗则是影响其特性的一个基本参数. 所以降低 SiGe 脊形波导的传输损 耗, 对于提高整个集成光路的性能就显得相当重要. 在 90 年代初, So ref 等人制作出了工作 ( ) ( ) 在 13 波长时传输损耗 19 模 和 32 模 的接近实用价值的 m dB cm TM dB cm T E [ 1 ] ( ) ( 光波导 . 之后 等人又完成了损耗为 062 模 和 050 SiGe Pesarcik dB cm TM dB cm T E ) [ 2 ] 模 的波导 . 但在此之后, 进一步降低损耗的工作出现了停顿. ( ) ( 对于现在的低损耗 光波导 05 左右 而言, 其传输损耗主要由导波层 芯 SiGe dB cm ) 层 与衬底之间界面的界面散射引起, 而要通过改善界面的方法来减少这种散射, 在工艺尚 未取得突破以前已很难有较大的进展. 从另一角度考虑, 如果将光场尽量约束在远离界面的 区域的方法, 也能减少界面散射的影响从而降低传输损耗. 由此, 本文提出用折射率呈三角 形分布的渐变折射率 SiGe 光波导来实现这种约束, 并对这种形式的波导作了模式分析和参 数设计, 其传输损耗与均匀型波导作了比较. 2　波导的结构 SiGe 合金的折射率随 Ge 组分的增大而增大, 因而, 当 Ge 的组分在波导厚度h 的范围 连续变化时, 折射率也随之连续变化. 如果我们使 Ge 的组分呈沿厚度方向中间高两边低的 分布, 相应的, 折射率的分布也是中心高, 两边低, 那么就有可能使在其中传播的光被限制在 中心附近. 从线光学的角度看, 此时光将沿一种连续的“弧形光线轨迹”传播, 如图 1 中的类 　 国家自然科学基金重点资助项目 施　斌　男, 1975 年出生, 硕士研究生, 目前的主要研究方向为Si 基光电子集成 收到,定稿 10 期