采用溶胶-凝胶法制备Zn1-xMgxO薄膜及发光性能的研究.pdfVIP

溶胶-凝胶法制备Zn Mg O薄膜及其发光性能研究 1-x x 周军 王维娜 王保明 李貌 闫方亮 王胜男 方庆清 安徽大学物理与材料科学学院，安徽合肥 (230039） E-mail: physfangqq@126.com 摘要 采用溶胶-凝胶工艺在玻璃衬底上制备了Zn Mg O （x=0.1~0.7 ）薄膜。X-射线衍射 1-x x 谱（XRD ）测试结果发现：在 0.1x0.3 范围内，薄膜仍然保持纯ZnO六角纤锌矿结构，(002) 面衍射峰位向大角度方向移动，x≥0.4 时出现MgO立方相。薄膜光致发光谱研究表明，紫外 发光峰随Mg含量的增加向短波方向移动，随着退火温度的增加发生明显蓝移，禁带宽度增 大。 关键词: 氧化锌；结构；禁带宽度；光致发光谱 中图分类号： TN304.2 1、引言 氧化锌是一种重要的直接带隙的宽禁带半导体材料，已被广泛用到表面声波谐振器件 [1] [2] ，压电器件 ，太阳能电池和光发射等领域。室温下带隙宽度约为 3. 4eV，激子束缚能高 达 60 meV[3]，具有纤锌矿结构，属六方晶系。ZnO化学稳定性好、材料来源丰富、价格低廉， 通过掺杂具有很好的光电性能，是光电器件极具潜力的材料。目前MgxZn1-xO 薄膜作为一种 新兴的光电材料，引起了人们的浓厚兴趣，通过改变Mg 的含量可使禁带宽度从 3. 3～7. 8 eV[4] 连续可调，从而可以制得覆盖从蓝光到紫外光谱区域的半导体激光器。带隙连续可调， 可以用来作为ZnO/MgxZn1- xO 半导体量子阱及超晶格等结构的势垒层。因此，对Mg 掺杂 ZnO薄膜制备和性质的研究是一项很有意义的课题。制备ZnO薄膜的方法很多，有射频溅射 法、分子束外延法（MBE ）、脉冲激光沉积法(PLD)、化学气相沉积法、 溶胶-凝胶(sol-gel) 法、电子束蒸发法、锌膜氧化法等等。溶胶-凝胶(sol-gel)法工艺简单，适合大面积制备。本 文采用溶胶凝胶法，制备出不同Mg含量掺杂的ZnO 薄膜，研究了不同Mg 含量、不同退火 温度对ZnO 薄膜的微结构及光学性质的影响。 —————————— 本课题得到“光电信息获取与控制”教育部重点实验室，安徽省高校“新型功能材料制备与物性”省级重 点实验室资助。 1 2、实验 本实验所使用的主要原料有二水合乙酸锌[Zn(CH COO) •2H O，分析纯] 、四水合乙酸 3 2 2 镁[Mg(CH COO) .4H O，分析纯] 、聚乙烯纯[PVA]等，衬底为玻璃片。Zn Mg O薄膜的制 3 2 2 1-x x 备过程如下：将一定量的PVA粉末溶于 80℃的去离子水中，配制成 6 ％的PVA胶体；加入摩 尔比为 1-x:x的分析纯醋酸锌（Zn(CH COO) .2H O ）与分析纯醋酸镁（Mg(CH COO) .4H O ）, 3 2 2 3 2