单电子晶体管及制造技术.pptVIP

单电子晶体管及其制造技术 王 战 内容提要 微电子器件的发展趋势及局限 单电子器件（SET）的发展及前景 SET的基本结构、工作原理及特性 SET的制作技术 问题及前景 微电子器件的发展 从1959年第一块集成电路问世?大规模集成电路?超大规模集成 电路（单位平方毫米上大于一万个门电路）； 1993年 ： 0.35μm技术； 目前水平：0.18μm~0.1μm技术 ， 2010年： 将达到0.07 μm技术， Intel公司的IC发展过程 1971年英特尔公司生产的第一个芯片只含有2300个晶体管； 1997年生产的“奔腾II”芯片集成了2000多万个晶体管； 2000年底推出的“奔腾４”芯片则集成了4200万个晶体管； 2010年，一个芯片上的晶体管数目将超过10亿个 晶体管。 “摩尔定理” 每18至24个月，集成电路芯片内的晶体管数量将翻一番，产品性能将提高一倍，成本将下降一半。 微电子器件的发展的局限 器件散热； 光刻技术及工艺均匀性； 栅氧化层漏电； 大电场下的雪崩击穿； 信号串扰加聚； 到达线宽物理加工极限； 纳米尺度下的宏观量子隧道效应的出现。 局限1--高集成度带来的散热问题 据英特尔公司负责芯片内部设计的首席技术官盖尔欣格预测，如果芯片的耗能和散热问题得不到解决： 到２００５年芯片上集成了２亿个晶体管时，就会热得像“核反应堆”； 到２０１０年就会达到火箭发射时高温气体喷嘴的水平； ２０１５年就会与太阳的表面一样热。 局限2—光刻技术 但当紫外光波长缩短到小于193nm时(蚀刻线宽0.18mm)，传统的石英透镜组会吸收光线而不是将其折射或弯曲。 下一代光刻技术NGL（Next Generation Lithography）包括：极紫外（EUV）光刻、离子束投影光刻技术（Ion Projection Lithography, IPL）、SCALPEL（角度限制投影电子束光刻技术）以及X射线光刻技术。 局限3--理加工极限问题 理论上讲，在一平方毫米的硅芯片上能制作的门电路将不会超过23万个； 理论分析预言0.04~0.05微米是硅集成电路线宽的“极限”尺寸极限，线路与线路相互间的距离越来越窄，导致相互干扰； 采取减小电流的方法来解决，导致信号的背景噪声会变得很大； 局限4--信号串扰 金属布线层数持续增加，导致相邻的沟道电容也会增加。 从0.35um工艺的4层或者5层发展到 0.13um工艺中的超过7层金属布线层。 2. 复杂设计中的电路门数的剧增使得更多、连线的加长，横断面减小都使得线上电阻增加，引入信号串扰。 局限5--纳米尺度下的宏观量子隧道效应 MQT（Macroscopic Quantum Tunneling） 对介于原子、分子与大块固体之间的超微颗粒而言，大块材料中连续的能带将分裂为分立的能级；能级间的间距随颗粒尺寸减小而增大。 在微观下，电子既具有粒子性又具有波动性，粒子具有贯穿势垒的能力称为隧道效应 。 SET的基本特征比较 SET的基本结构 库仑岛 隧道势垒（隧道结约10nm以下） 势垒区 源、漏区 栅氧化层（几十纳米厚） 栅极 隧道结及SET工作等效原理图 SET 工作原理 核心----单电子隧穿现象 如果有一纳米微粒尺寸足够小且与其周围外界在电学上是绝缘的，它与外界之间的电容可小到1fF(10－15F)，在这种情况下，某个电子隧穿进入该微粒产生“库仑阻塞”效应，它会阻止第二个电子再进入该微粒，否则会导致系统总能的增加，因而可人为控制电子逐个穿进出该微粒，实现单电子隧穿过程。 “库仑阻塞”效应 一个极小的（纳米尺寸级）的金属（或半导体）微粒，如果具有极小的系统电容C，一个电子进入微粒中并通过，就必须增加e2/2CΣ的能量，以克服微粒中的的电子对它的排斥。 “库仑阻塞”效应 用能级理论解释“库仑效应” 库仑岛内电荷Q的静电能为： E=-QVg+Q2/2C （1） 令Q0=CgVg （ Q0 为外部电荷）（1）改写为 E=(Q-Q0)2/2C+常数 岛内电荷Q=Ne， 当Q0=Ne时，见右图。 用能级理论解释“库仑效应” 改变Vg 使Q0=（N+1/2）e时，Q=Ne与Q=(N+1)e的电子能态简并。 库仑阻塞效应消失。 SET 工作原理 当Vg=0时，库仑岛内产生“库仑阻塞”，源漏极电导为零。 当Vg=e/2Cg时， 一个电子穿过隧道结，漏极电导最大。 SET 工作原理（续1） 栅极电压继续增加一个e/2Cg周期，岛内又进入一个电子。因此，栅极电压的不断增加使得栅、漏极之间的电导出现周期振荡（称为库仑振荡）。 将库仑岛内的电子能量量子化考虑，则会出现振幅的