三维H形栅SOINMOS器件总剂量条件下的单粒子效应.pdfVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 17 (2013) 176106 三维H 形栅SOI NMOS 器件总剂量条件下的 单粒子效应* † 卓青青 刘红侠 王志 ( 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071 ) ( 2013 年3 月24 日收到; 2013 年5 月28 日收到修改稿) 本文通过数值模拟研究了H 形栅SOI NMOS 器件在总剂量条件下的单粒子效应. 首先通过分析仿真程序中影 响迁移率的物理模型, 发现通过修改了的由于表面散射造成迁移率退化的Lombardi 模型, 仿真的SOI 晶体管转移 特性和实测数据非常符合. 然后使用该模型, 仿真研究了处于截止态(V 5 V) 的H 形栅SOI NMOS 器件在总剂量 D 条件下的单粒子效应. 结果表明: 随着总剂量水平的增加, 器件在同等条件的重离子注入下, 产生的最大漏极电流脉 冲只是稍有增大, 但是漏极收集电荷随总剂量水平大幅增加. 关键词: 单粒子脉冲电流, 漏极收集电荷, 总剂量效应 PACS: 61.80.Az, 02.60.Cb, 07.89.+b DOI: 10.7498/aps.62.176106 粒子效应, 在SOI 器件抗辐照研究方面很有优势. 1 引言 本文主要通过ISE TCAD 软件模拟研究了H 形栅 SOI NMOS 器件在总剂量条件下的单粒子效应, 对 空间辐射带来器件和电路的性能退化和失效, 比分析了相同结构的二维和三维SOI 器件的单粒 严重制约着电子产品的可靠性和寿命. 长期以来, 子仿真结果. 研究了不同总剂量条件下, SOI 器件 单粒子效应是航天应用主要面临的辐射效应之一, 的单粒子效应. 结果表明: 随着总剂量水平的增加, 国内外学者对早期发现的器件和电路的单粒子效 SOI 器件的抗单粒子特性恶化. 12 应进行了大量深入的研究 . 随着工艺尺寸的减 小, 单粒子效应(single event effect, SEE) 的危害日 2 物理模型和器件结构 益突出, 成为国际上的研究热点36 . 宇宙空间中的器件和电路, 暴露在质子或者电 图1 是DEVICE 工具构建的三维H 形栅SOI 子的电离辐射环境中, 抗单粒子特性会受到电离总 器件结构示意图, 宽长比W L 8 m/0.8 m. 为了 剂量效应的影响, 且结果和辐照试验时的工作状态 仿真的方便, 只在H 形栅的中间一条栅上, 进行掺 有关. 国内外已经对总剂量条件下的电路和器件的 杂和制作电极. 使用绝缘SiO2 作为隔离区材料, 并 78 且直接和器件的埋氧层相接触. 具体的掺杂浓度和 单粒子效应进行了一系列的研究 . SOI 器件由 于隐埋氧化层的存在, 抗单粒子效应增强. 但正是 结构参数如表1 所示. 由于隐埋氧化层的存在, 导致SOI 器件的总剂量效 单粒子效应模拟的重离子模型参数如表2 所 应更加突出, 因而SOI 器件的抗单粒子特性受其总 示, 其中let-f 和wt-hi 分别是注入重离子的线性能 剂量效应的影响会更明显. 进行总剂量条件下的单