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利用可旋转式石墨舟生长金字塔状GaAs 微探尖1 朱锦霞，梁秀萍，许育波，胡礼中 大连理工大学物理与光电工程学院，辽宁 大连(116085) E-mail:zjx_doria@ 摘 要：本文给出了一种用于超高密度光存储的扫描近场光学显微术(SNOM)的GaAs 微探 尖的生长方式。该方式利用可旋转式石墨舟，通过旋转方式，使生长后的废液在重力作用下 脱离衬底，实现金字塔状GaAs 微探尖的生长。利用扫描电子显微镜对GaAs 微探尖进行了 表征，表明基于此种方法生长的GaAs 微探尖的质量得到了改进。 关键词：可旋转式石墨舟；生长液；金字塔状GaAs 微探尖；扫描近场光学显微术 中图分类号：TN305 1. 引言 扫描近场光学显微术（Scanning near-field optical microscopy，简称 SNOM）是一种近几 十年来取得快速发展的新兴技术。它突破了传统光学显微镜由于光的衍射效应产生的分辨率 限制，分辨率可达入射光波长的十几分之一，甚至几十分之一，实现了纳米量级的光学成像。 因此，扫描近场光学显微术（SNOM）不仅在物理、化学、生物、医学、材料和微电子学等 研究领域有重要的应用价值，而且会对医学及信息技术产生重大影响。其中一项重要的应用 是 Betzig 等人[1]提出的利用 SNOM 技术实现超高密度光存储设想。为此，Gorecki 等人[2] 在 2000 年提出了一种以垂直腔表面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser ，简称 VCSEL ）为基础构造的扫描近场光学传感器的新概念。这种集成式传感器由三个基本单元 构成，分别是 PIN 探测器、垂直腔表面发射激光器（VCSEL ）和金字塔状微探尖。其结构 如图 1 所示。其中，金字塔状微探尖是保证整个系统分辨率和性能的关键部件。现有的微探 尖制备技术主要有自组织生长[3-5]，湿法及干法刻蚀[2, 6-10]，选择性金属有机物化学气相沉积 (Metal Organic Chemical Vapour Deposition，简称 MOCVD) [11]，选择性液相外延(Liquid Phase Epitaxy，简称LPE) [12]等等。在前期的工作中我们已经利用选择性液相外延方法制备出了金 字塔状 GaAs 微探尖，其质量较高，但是，在金字塔状结构的一个侧面始终有生长液的残留。 为解决这个问题，我们设计了一种新的石墨舟——可旋转式石墨舟。通过旋转这种石墨舟使 生长后的残液在重力作用下脱离衬底，以避免生长液残留在金字塔状GaAs 微探尖的侧面上。 这对实现高质量的集成式扫描探尖传感器有着非常重要的应用价值。 1 本课题得到了国家自然科学基金（No）、科技部重大基础研究前期研究专项 (No.2004CCA03700)和高等学校博士学科点专项科研基金(NO.20060141026)的资助。 - 1 - 图: 扫描近场光学显微镜传感头结构图 Figure : Structure of scanning near-field optical microscopy sensor 2. 实验 整个实验过程分为五个部分：GaAs 衬底的处理；SiO 掩膜的制备；液相外延生长窗口 2 的制备；GaAs 微探尖阵列的液相外延生长；以及生长液的旋转式分离。实验中用作衬底的 N 型(001)GaAs 晶片的厚度为340　m 左右。 首先将 GaAs 晶片清理干净，之后用电子束蒸发（electron beam evaporation ）方法在衬 底上沉积一层 SiO 薄膜，厚度一般为 20-30nm 。在 SiO 掩膜上进行光刻，并用稀释的氢氟 2