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第 50 卷 第 7 期 2001 年 7 月 物 理 学 报 Vol . 50 ,No . 7 ,July ,2001
( )
10003290200150 07 139006 ACTA PHYSICA SINICA 2001 Chin . Phys. Soc .
反应溅射法制备 TiO2 薄膜
赵 坤 朱 凤 王莉芳 孟铁军 张保澄 赵 夔
(北京大学重离子研究所 ,北京 100871)
(2000 年 10 月 21 日收到 ;2001 年 2 月 7 日收到修改稿)
报道了用反应溅射法制备 TiO2 薄膜的实验研究. 详细研究了氧分压 、基底温度和退火温度对成膜结构的影响.
制备出了具有金红石和锐钛矿晶体结构的 TiO2 薄膜. 分析了金红石和锐钛矿晶体的形成条件 ,并对薄膜的表面形
貌进行了测量.
关键词 : 反应溅射 , TiO 薄膜
2
PACC : 8115C
TiO2 薄膜已成为近年来薄膜科学与技术领域的研
1 引 言 究热点.
TiO 的晶体结构分为三种 ,如表 1 所示[ 1] . 一般
2
TiO2 薄膜 由于其高化学稳定性 、良好 的电性 TiO2 薄膜中只存在锐钛矿和金红石两种晶体结构
能、优异的光学性能使得它在陶瓷材料 、电介质材 ( )
图中它们分别用 A 和 R 表示 .
料 , 以及光学薄膜材料方面有着越来越广泛的应用 ,
表 1 TiO2 的晶体结构
( ) ( ) ( )
锐钛矿 anatase 金红石 rutile 板钛矿 brookite
所属晶系 四方晶系 四方晶系 正交晶系
晶格参数 a = 0 . 3785nm , c = 0 . 9514nm a = 0 . 4593nm , c = 0 . 2959nm a = 0 . 5456nm , b = 0 . 9182nm , c = 0 . 5143nm
制备 TiO 薄膜的方法很多 ,例如蒸镀法[2 ] 、化 了退火温度对成膜结构的影响 ,并对 TiO 薄膜的表
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( )
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