激光在半导体技术应用中进展.pdfVIP

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C M Y K 综述文章%E)FG)+# 王光伟 ! 天津工程师范大学电子工程系 天津 DMM=== 简要概述了激光在半导体技术中的主要应用 这些应用大致涵盖激光掺杂 激光退火 激光沉积薄膜 激光引发固相反应和 ! ! # # ! 激光光刻等几方面 激光光刻中 选取234 56 7%8 09: 56 ;%8 和 0= 56 8 准分子激光光刻着重进行了探讨 分析了这些激光 2 工艺的现状 特点和最新进展 并对存在的问题和发展趋势作了研究 # ! 激光掺杂 激光退火 激光沉积薄膜 激光固相反应 激光光刻 $ $ $ $ # ?:@31. ?239 ; 0...A=4=B2..4C@DA@@=4A@D $ ! !#$%’$()* (+ ,*-. $) 薄膜 激光引发固相反应作为一个较新的课题 有许多问题 需要研究 激光的一些参数 如中心波长 能量密度 脉冲宽度 /-0$1()231’(. 4-15)(6(78 $ ! % % 和重复频率等!对上述工艺有直接的影响$ 特征尺寸的不断缩小对光刻技术的要求越来越高 光学 L $ ^E_] ]2$+36.’ 光刻的光源主要有波长为=? +0 的@/A 和 BCD +0 的E/A 准 分子激光 除光源外 成像透镜 光刻胶 掩膜版以及步进扫描等 !# $%’( )* +,-%)(.- +(/.(%.(/0 1.2(3 .( 4(.5%6.7 )* $

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