复合钙钛矿陶瓷结构与微波介电性能.pdfVIP

维普资讯 第26卷第4期 2005年12月 陶瓷学报 Vo1．26．No．4 J0URNALOFCERAM ICS Dec．2005 文章编号：1000—2278(2005)04—0225—06 复合钙钛矿陶瓷的结构与微波介电性能 王 浩 田中青 刘 涛 (武汉理工大学材料科学与工程学院，430070) 摘 要 介绍了复合钙钛矿化合物结构的本质特征，讨论了钙钛矿结构对微波介质陶瓷材料的介电性能(介电常数、介质损耗、频率温 度系数)的各种影响因素。 关键词：钙钛矿，介电特性，微波介质陶瓷 中图法分类号：TQ174．75 文献标识码 ：A 现在人们已开发研究了如下四种类型的钙钛矿 1 引 言 型化合物的微波介质材料 ： (1)简单钙钛矿结构化合物；(2)B位复合钙钛矿 复合钙钛矿结构型陶瓷材料在很高的微波频率 结构化合物 ；(3)A位复合钙钛矿结构化合物；(4)钙 下具有极低的介质损耗(Q值)，温度频率系数( )趋 钛矿结构化合物之间的复合体系。 近于零，是使用频率和品质因数最高的MWDC材料， 2．1简单钙钛矿化合物 成为制造用于 IOGHz以上高端范围的微波介质滤波 在理想的ABO。简单钙钛矿结构中，A抖和O 离 器和谐振器的关键材料n】。在广播电视、卫星通信设 子共同构成近似立方密堆积 ，A离子有l2个氧配位， 施、航天与军事领域中有着广阔的应用前景。因此，对 每个氧离子有6个阳离子 (4A+2B)连接 ，B抖离子有 它的研究日益受到人们的重视，人们在研究中发现： 6个氧配位，占据着由氧离子形成的全部氧八面体空 理想钙钛矿晶体结构的微小畸变会导致性能的变化， 隙。A离子较大 ，B离子较小 ，并满足关系式 ： 利用 “掺杂”手段和多相复合技术可获得不同性能和 RA+RO=(RB+RO)。在实际结构中，A离子可比B离 结构的微波介质陶瓷材料啪。 子稍大或稍小，同时B离子也有一个波动范围，只要 A，B离子大小适当，上述关系式可无需严格地满足。 2钛矿化合物基本结构与介电特性 表 1简单钙钛矿结构化合物的微波介电性能 Table1Microwavedielectricpropertiesof 钙钛矿结构化合物 (ABO)以及它们之间的复合 simpleperovskitetypecompounds 物的结构均有一个共同的特征，即存在以顶角相连的 Comp— Q ×f Measuring T— 氧八面三维网状结构 ；材料的介电常数 (s)-k要取 ￡ r osition value frequency／GHz lO叶℃ 决于A／B位离子的半径及晶胞尺寸的大小；材料的Q MgTiO3 l7 160。000