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应用4 R$ z8 g: Q: Y0 A ?/ r1、当TTL电路驱动COMS电路时,如果TTL电路输出的高电平低于COMS电路的最低高电平(一般为3.5V),这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻,以提高输出高电平的值。2、OC门电路必须加上拉电阻,以提高输出的搞电平值。3、为加大输出引脚的驱动能力,有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。% t6 s5 a, B e/ R, a- z: N4、在COMS芯片上,为了防止静电造成损坏,不用的管脚不能悬空,一般接上拉电阻产生降低输入阻抗,提供泄荷通路。: x Q5 n8 ?1 H* g l* N) J# Y% S5、芯片的管脚加上拉电阻来提高输出电平,从而提高芯片输入信号的噪声容限增强抗干扰能力。) W L8 {( h7 j7 A8 Y I8 e: C! \- c6 Y: W1 b$ h- r( q- T6、提高总线的抗电磁干扰能力。管脚悬空就比较容易接受外界的电磁干扰。_; H1 S/ @2 _4 n, n5 j7、长线传输中电阻不匹配容易引起反射波干扰,加上下拉电阻是电阻匹配,有效的抑制反射波干扰。上拉电阻阻值的选择原则包括:1、从节约功耗及芯片的灌电流能力考虑应当足够大;电阻大,电流小。6 ^- Y m; i: s/ O _ U# A O9 |2、从确保足够的驱动电流考虑应当足够小;电阻小,电流大。/ H! \; j. p R6 {3、对于高速电路,过大的上拉电阻可能边沿变平缓。! H- \ \) |$ l3 O; l4 p6 d) _- w Q4 }/ c2 d7 q% x综合考虑以上三点,通常在1k到10k之间选取。对下拉电阻也有类似道理。二.原理:上拉电阻实际上是集电极输出的负载电阻。不管是在开关应用和模拟放大,此电阻的选则都不是拍脑袋的。工作在线性范围就不多说了,在这里是讨论的是晶体管是开关应用,所以只谈开关方式。找个TTL器件的资料单独看末级就可以了,内部都有负载电阻根据不同驱动能力和速度要求这个电阻值不同,低功耗的电阻值大,速度快的电阻值小。但芯片制造商很难满足应用的需要不可能同种功能芯片做许多种,因此干脆不做这个负载电阻,改由使用者自己自由选择外接,所以就出现OC、OD输出的芯片。由于数字应用时晶体管工作在饱和和截止区,对负载电阻要求不高,电阻值小到只要不小到损坏末级晶体管就可以,大到输出上升时间满足设计要求就可,随便选一个都可以正常工作。但是一个电路设计是否优秀这些细节也是要考虑的。集电极输出的开关电路不管是开还是关对地始终是通的,晶体管导通时电流从负载电阻经导通的晶体管到地,截止时电流从负载电阻经负载的输入电阻到地,如果负载电阻选择小点功耗就会大,这在电池供电和要求功耗小的系统设计中是要尽量避免的,如果电阻选择大又会带来信号上升沿的延时,因为负载的输入电容在上升沿是通过无源的上拉电阻充电,电阻越大上升时间越长,下降沿是通过有源晶体管放电,时间取决于器件本身。因此设计者在选择上拉电阻值时,要根据系统实际情况在功耗和速度上兼顾。8 V# t, m v: g3 {8 ?- g# }7 A+ S B3 {* ^三.从IC(MOS工艺)的角度,分别就输入/输出引脚做一解释:; s L( P f R; M: l4 y; Q6 N1. 对芯片输入管脚, 若在系统板上悬空(未与任何输出脚或驱动相接)是比较危险的.因为此时很有可能输入管脚内部电容电荷累积使之达到中间电平(比如1.5V), 而使得输入缓冲器的PMOS管和NMOS管同时导通, 这样一来就在电源和地之间形成直接通路, 产生较大的漏电流, 时间一长就可能损坏芯片. 并且因为处于中间电平会导致内部电路对其逻辑(0或1)判断混乱. 接上上拉或下拉电阻后, 内部点容相应被充(放)电至高(低)电平, 内部缓冲器也只有NMOS(PMOS)管导通, 不会形成电源到地的直流通路. (至于防止静电造成损坏, 因芯片管脚设计中一般会加保护电路, 反而无此必要).2. 对于输出管脚: Q2 O) X/ b+ h. D1 E \- y% W3 n1)正常的输出管脚(push-pull型), 一般没有必要接上拉或下拉电阻.2)OD或OC(漏极开路或集电极开路)型管脚,这种类型的管脚需要外接上拉电阻实现线与功能(此时多个输出可直接相连. 典型应用是: 系统板上多个芯片的INT(中断信号)输出直接相连, 再接上一上拉电阻, 然后输入MCU的INT引脚, 实现中断报警功能).. A8 x3 b1 u$ J+ C! k4 x, _其工作原理是:在正常工作情况下, OD型管脚内部的NMOS管关闭, 对外部而言其处于高阻状态, 外接上拉电阻使输出位于高电平(无效中断状态); 当有中断需求时
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