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28 1 电 子 显 微 学 报 Vol28,No1
20092 Journal of Chinese Electron Microscopy Society 20092
:2009)
1, 2 1,2* 1 1
徐宗伟 ,房丰洲 , 张少婧 , 陈耘辉
( 1. 天津大学精密测试技术及仪器国 重点实验室天津市微纳制造技术工程中心,天津300072;
2. 天津微纳制造技术有限公司,天津300457)
: 提出了聚焦离子束注入(focused ion bea i plantation, FIBI)和聚焦离子束XeF 气体辅助刻蚀( gas assisted
2
etching, GAE)相结合的微纳加工技术通过扫描电镜观察FIBI 横截面研究了聚焦离子束加工参数与离子注入深
17 2
度的关系当镓离子剂量大于14 10 ionc 时, 聚焦离子束注入层中观察到均匀分布直径 10~ 15 n 的纳米
颗粒层以此作为XeF 气体反应的掩膜, 利用聚焦离子束XeF 气体辅助刻蚀( FIBGAE) 技术实现了多种微纳米级
2 2
结构和器件加工,如纳米光栅纳米电极和微正弦结构等结果表明该方法灵活高效, 很有发展前途
: 聚焦离子束(FIB) ; 离子注入; 气体辅助刻蚀(GAE) ;微结构
: TH73;TH74;O59 : A
(focused ion bea , FIB)
[ 1,2]
1
( ) ,
() FIBSEM (FEI Nova Nanolab 200)
, , Si( 100)FESEM
,, 11 n , 5 n
,5~ 30 kV,
[3]
1pA~ 20 nA
,
2 FIBI
, 21
,, FIBI ,
[4]
,
, FIBI 1a 1b
[5] [6]
,
FIBI KOH , 30 kV 30 pA, 2 2
FIBI 16 2
70 10 ionc ,
[ 1]
FIBI 10~ 15 n
,
, ; ,
, ,
, 1b
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