基于聚焦离子束注入微纳加工技术的研究09316.pdfVIP

第28卷第1期 电子显微学报 Vol-28。No．1 2009年2月 ofChineseElectron 2∞9．2 Journal MicroscopySociety 文章编号：1000-6281(2009)0t．0062—06 基于聚焦离子束注入的微纳加工技术研究 徐宗伟1’2，房丰洲1’，张少婧1，陈耘辉1 (1．天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室天津市微纳制造技术工程中心，天津300072； 2．天津微纳制造技术有限公司，天津300457) ionbeam assisted 摘要：提出了聚焦离子束注入(kuBed implantation，vml)和聚焦离子束xeR气体辅助刻蚀(gas ete她，GAE)相结合的微纳加工技术。通过扫描电镜观察FIBI横截面研究了聚焦离子束加工参教与离子注入深 nm的纳米 度的关系。当镓离子荆量大于I．4×10”ion／cm2时，聚焦离子柬注入层中观察到均匀分布、直径10—15 颗粒层。以此作为xeF2气体反应的掩膜，利用聚焦离子束xeF2气体辅助刻蚀(rm—GAg)技术实现了多种微纳米级 结构和器件加工。如纳米光栅、纳米电极和微正弦结构等。结果表明该方法灵活高效，很有发展前途。 关量词：聚焦高子束(nB)；离子注入；气体辅助刻蚀(GAg)；微结构 中图分类号：TH73；TH74；059文献标识码：A ion 聚焦离子束(focusedbeam，FIB)加工技术在极和准三维复杂结构的微纳结构和器件的加工。 微纳米结构的加工中得到广泛的应用u’2J。聚焦离 ． ．，． ‘ 7、但 子束系统不仅能够去除材料(铣削加工)，还具有添 Nanolab 加材料(离子注入和沉积)加工的能力。离子注入是 使用FIB／SEM双束系统(FEINova 200) 采用高能离子轰击样品表面，使高能离子射入样品， 入射离子通过与工件中的原子碰撞，逐渐失去能量， 率为1．1nm，而聚焦离子束束斑直径可小至5nm。 最后停留在样品表层。对聚焦离子束注入损伤的显 系统使用镓离子作为离子源，加速电压为5—30kv， 微研究目前普遍使用的是透射电子显微镜∞o。透射 工作电流为1 nA。 pA一20 妻舌罢翼譬量夏分辨率高的优点’但透射电镜样品 2 FIBI的显微组织研究 的制备难度较大。 “。一”“一1””7。 与传统的掩模注入法相比，运用聚焦离子束系 2．1离子注入深度研究 统进行定点离子注入，不仅大大节省成本，还可节约 利用聚焦离子束对FIBI层进行切截面加工，然 加工时间¨1。聚焦离子束离子注入已被尝试应用于 后用场发射扫描电镜对离子柬注入截面进行观测， 纳米结构和器件的加工研究，主要方法是利用FIBI如图la所示。图1b所示是对聚焦离子束注入层的 层作为掩膜，结合湿法刻蚀b1或反应离子深刻蚀哺1。 横截面高分辨率观察结果。聚焦离子束工作参数为 利用HBI和KOH溶液湿法刻蚀的加工方法，可在30kV30 pA，加工区域为2呻×2肛m。如果离子束 硅基底上加工纳米悬臂梁。FIBI还可以用来增强聚 合物材料的抗