纳米级电子束光刻技术及ICP深刻蚀工艺技术研究.pdfVIP

中国科学 E 辑 : 技术科学 2009 年 第 39 卷 第 6 期 : 1047 ~ 1053 SCIENCE IN CHINA PRESS 纳米级电子束光刻技术及ICP 深刻蚀工艺技术 的研究 * 李群庆, 张立辉, 陈墨, 范守善 清华大学物理系清华-富士康纳米科技研究中心, 北京 100084 * E-mail: qunqli@ 收稿日期: 2008-10-16; 接受日期: 2009-03-02 国家重点基础研究发展计划(“973”计划) (批准号: 2007CB935301)资助项目 摘要 对 100 kV 高压电子束光刻系统的曝光工艺进行了系统研究, 针对正性电子束 关键词 抗蚀剂ZEP520A 进行了工艺参数的优化, 在具有合理厚度、可供后续加工的光刻胶上获 电子束光刻 得了占空比为1:1, 线宽为50 nm 的光栅图形. 针对ICP 刻蚀工艺进行了深入研究, 探讨 ZEP520 电子抗蚀剂 了刻蚀腔体气压、电极功率、气体流量等工艺参数对刻蚀效果的影响, 最终在硅基底上 反应离子刻蚀 纳米加工 : 获得了线宽为 100 nm, 占空比为1 1, 深度为900 nm 的光栅图形, 光栅的边壁波纹起伏 小于5 nm. 100 nm 以下深硅刻蚀技术的发展, 有利于工作区域在可见光范围的纳米光学 器件的制备. 随着微电子集成度的不断提高, 带动了微纳加 亚波长光栅在纳米光学领域有着极为重要的作 工能力的不断进步, 同时也使得多个学科与纳米科 用, 其结构由超长密集纳米线条组成, 通常需要长度 技交叉, 进入到纳米时代, 其中以光学领域的变化尤 达几个毫米以上, 且线条宽度小于 200 nm, 占空比达 为引人注目. 传统的光学光刻技术和光学成像技术 到 1:1. 电子束直写曝光系统具有易于控制、精度高、 已经突破光学衍射极限, 与光相互作用的结构和器 灵活性大的特点, 成为当今纳米结构研究的重要制 件的特征尺寸已经从波长量级进一步减小到纳米(nm) 备工具[2]. 目前一般实验室条件下使用的纳米级电子 量级, 使得微光学的发展过渡到纳米光学和亚光波 束光刻系统由于受到加工稳定性(电子束漂移)和电子 长光学阶段. 而先进的光刻技术[1]、刻蚀技术和薄膜 束曝光效率低等因素的影响, 主要用于小范围的图 技术则占据纳米光学的核心位置, 是实现理论设计 形加工, 比较难应用于大面积、长而直的结构图形的 思想和器件集成应用的前提. 纳米光学元件主要是 曝光. 国际上加工亚波长光栅等复杂结构的元器件 周期性结构、半周期性结构, 如光栅(密集线条结构) 、 主要通过 X 射线曝光手段实现. 但由于 X 射线目前 波带片(环状结构) 、光子晶体(周期性孔状结构). 这些 还难实现扫描图形曝光, 通常只能用于复制曝光, 而 纳米结构通常要求在较大的区域内有相当好的均匀 电子束曝光用的掩模(通常是在硅片上制造出薄膜衬 性及误差控制, 同时纳米光学器件还具有高深宽比 底的金属吸收体掩模图形)依然需要电子束曝光系统 的特性, 因此对光刻技术和后续工艺都提出了相当 技术来制备. 因此, 在实验室条件下对电子束直写曝 高的要求. 光工艺技术在纳米结构加工领域的应用研究仍然十