逆变电源设计概要续-逆变电源中MOSFET驱动设计.pdf

《逆变电源设计概要》续 —逆变电源中MOSFET的驱动 电源网逆变/大功率专题会演讲稿 —钟任生 大家知道，逆变电源中用的最多的功率 器件就是MOSFET了。特别是在低压供电的 中小功率逆变电源中，到处都可以看到 MOSFET的身影。如何用好MOSFET，关系 到逆变电源的各种性能，如效率、可靠性、 安全性等。所以这次和大家一起来探讨下逆 变电源中MOSFET的驱动。 主要内容 • 一.MOSFET的输入特性 • 6.1 光耦自举供电的驱动电路 • 二. 具体的驱动电路 • 6.2 使用自举供电半桥驱动器 • 1. 直接驱动 的驱动电路 • 2. 带图腾柱输出的驱动电路 • 7. 单片机（MCU）输出PWM • 3. 集电极开路的PWM控制IC 对MOS管的驱动： 的驱动输出电路 • 7.1 用光耦实现的电平转换驱 • 4. 采用专用MOSFET驱动器的 动电路： 驱动电路 • 7.2 用专用驱动器实现的电平 • 5. 隔离驱动电路 转换驱动电路 • 5.1 光耦隔离驱动电路 • 7.3 用分立元件组成的电平转 换驱动电路 • 5.2 采用专用光耦驱动器的驱 • 8. P管的驱动 动电路 • 5.3 变压器隔离驱动电路 • 9. 多个MOSFET并联的驱动 • 6 自举供电的驱动电路 一.MOSFET的输入特性 大家知道，MOSFET是电压型驱动器 件，对于N沟道的MOSFET只要栅极对源极 有一定的正向电压，MOSFET的漏极到源 极的电阻就会减小达到导通；栅极对源极 是低于开启电压时MOSFET的漏极到源极 的电阻就维持一个很大的值，可以近似地 认为是不导通的。 下面我们来做一个比较特殊的实验，电 路如下图： 按下开关S1,我们发现灯亮了，可是 我们并没有给MOS的G极加正向电压 啊？原来是MOS寄生参数作怪，使得栅 极有了电压。怎么使这个MOS真正截止 呢，在栅极和源极加个10K的电阻到地 试下，因为寄生参数使得漏极到栅极的 漏电流极小，在NA级，我们加个10K的 电阻足够可以把这个漏电流分流掉绝大 部分，这样栅极电压接近0V,实验后发现 此时MOS管不导通了，灯不亮了。 • 由此可以得出结论，MOSFET的栅极一般是不能 悬空的，需要接一个下拉电阻（或叫泄放电 阻），使驱动电路损坏开路后能防止误导通。在 驱动板和安装MOSFET的功率板分开设计时，泄 放电阻最好放在功率板上，这样可以防止驱动板 扒开后调试功率板时烧坏MOSFET. • 栅极电阻：一般地在驱动输出到MOSFET的栅极 串联一个电阻，这个电阻就叫做栅极电阻，用Rg 表示，如下图： MOSFET的输入特性 我们先来看一下MOSFET栅极电阻上 的波形： 从波形上可以看出栅极的输入特性为 容性，驱动电路只在MOSFET的开通和关 断提供电流。如果驱动电路的输出内阻为 0，那么驱动电阻可以起到限流和控制开 关速度的作用。现在看下栅极的充电曲线: 从这个曲线中我们可以看出栅极的充电过程： MOSFET导通之前驱动电流先是给QGS充电， VGS充电到MOSFET的开启电压VGS(th)时 MOSFET导通。MOSFET导通后漏极电压开始下