缺陷层厚度对1维光子晶体孪生缺陷模影响.pdfVIP

第33卷第4期 激 光 技 术 V01．33．No．4 2009年8月 LASERTECHNOLOGY August，2009 文章编号：1001．3806(2009)04-0403·03 缺陷层厚度对1维光子晶体孪生缺陷模的影响 王吉科1，夏海燕2，闫珂柱h，姜迎迎1 (1．曲阜师范大学物理工程学院，曲阜273165；2济宁学院物理系，曲阜273155) 摘要：为了研究由1维特定掺杂光子晶体生成的孪生缺陷模与缺陷层厚度的关系，采用特征矩阵的方法进行了理 论分析。结果表明，当整体改变这种缺陷层厚度时，孪生缺陷模低频和高频模位置的变化情况各不相同；当仅改变缺陷 层的正折射率材料的厚度时，随着厚度增加，孪生缺陷模红移；当仅改变缺陷层负折射率材料的厚度时，随着厚度增加， 缺陷模蓝移；并且孪生缺陷模透射率的变化也很复杂。这一结果为设计有特殊用途的光子晶体器件提供了理论依据。 关键词：物理光学；光子晶体；特征矩阵；孪生缺陷模