氧空位对钴掺杂氧化锌半导体磁性能影响.pdfVIP

第 58 卷 第 4 期 2009 年 4 月 物 　理 　学 　报 Vol . 58 ,No . 4 ,Aprl ,2009 ( ) 10003290200958 04 270706 ACTA PHYSICA SINICA 2009 Chin . Phys. Soc . 氧空位对钴掺杂氧化锌半导体磁性能的影响 ) ) ) ) 陈　静1 2 　金国钧1 　马余强1 1) (南京大学物理系 ,南京 　210093) 2) (淮阴师范学院物理系 ,淮安 　223001) (2008 年 6 月 10 日收到 ;2008 年 9 月 18 日收到修改稿) 　　从实验和理论上阐述了氧空位对 Co 掺杂 ZnO 半导体磁性能的影响. 采用磁控溅射法在不同的氧分压下制备 了 Zn095 Co005 O 薄膜 ,研究了氧分压对薄膜磁性能的影响. 实验结果表明 ,高真空条件下制备的 Zn095 Co005 O 薄膜具 有室温铁磁性 ,提高氧分压后制备的薄膜铁磁性逐渐消失. 第一性原理计算表明 ,在 Co 掺杂 ZnO 体系中引入氧空 位有利于降低铁磁态的能量 ,铁磁态的稳定性与氧空位和 Co 之间的距离密切相关. 关键词 : Co 掺杂 ZnO , 稀磁半导体 , 第一性原理计算 , 氧空位缺陷 PACC : 7280E , 6170B , 7360F 和理论研究[ 10 —12 ] . 实验研究的 目的是获得本征的 1 引 言 TC 高于室温的铁磁性材料 ,虽然已经有很多实验报 道了 TC 高于室温的铁磁性材料[ 13 —16 ] ,但磁性的稳 ( [ 13 ] 稀磁半导体 diluted magnetic semiconductor ,简记 定性还有待提高. Ueda 等 采用 PLD 法制备 的 ) ( DMS 一般是通过在非磁性半导体 如 Ⅲ Ⅴ族 , Ⅱ Ⅵ Zn Co O 薄膜的 T 为 280 K ,但薄膜的重复率仅 1 - x x C ) ( [ 17 ] 族半导体等 中引入部分磁性过渡金属离子 TM , 为 10 % 左 右. Kim 详 细 研 究 了制 备 条 件 对