安森美半导体 NCP1562有源箝位应用.docVIP

概述： LM5025PWM控制器包括了采用有源箝位复位实现电源变换器的所有必要的特点。此IC可用来实现控制一个P沟道箝位开关或一个N沟道箝位开关。采用有源箝位技朮可以实现更高的效率和更大的功率密度，这相当于传统的绕组复位或RDC箝制复位技朮。它提供两个控制输出端：主电源开关控制OUT-A和有源箝位开关控制OUT-B。有源箝位输出可以实现一个可调整的重迭时间（对于P沟道应用）或一个可调整的死区时间（对于N沟道应用）。这两个内部合成的栅驱动器采用并联的MOS和双极器件提供优越的栅驱动特性。此控制器是为1MHz以上的振荡频率工作设计，其PWM及电流检测延迟的延迟时间小于100ns LM5025包括一个输入电压范围可在13V到90V的高压起动调整器。其它特点包括：线路欠压锁定，软起动，有可以上下同步性能的振荡器，精密电压基准和过热关断保护。 特色： 内部起动偏置调节器。 3A驱动能力的合成的主驱动器。 带可调节的带有阈值窗口可调的线路欠压锁定。 具有电压前馈的电压控制模式。 可调整的两种模式的过流保护。 在主输出与有源箝位输出之间的可调节的重迭或死区时间。 伏秒箝制。 可调的软起动。 前沿消隐。 单电阻调节频率的振荡器。 精密5V的基准电压。 过热关断保护。 各端子功能描述： PIN1.VIN，输入电源电压。起动调整器的输入端。输入电压范围为13V到90V，可瞬时到100V。 PIN2 RAMP，调制斜波信号。Vin端的一个外部RC电路设置斜波斜率。此端子通过一个内部FET在每一个周期的最后放电，由内部时钟或伏秒积箝制比较器来启动。 PIN3.CS1，逐个周期限制的电流检测器输入端。如果CS1端电压超过0.25V，输出端将进入逐个周期限流的状态。在OUT-A开关为高电平之后CS1端保持低电平在50ns内，以提供前沿消隐。 PIN4.CS2，为重新软起动的电流检测输入端。如果CS2端电压超过0.25V，输出端将被禁止工作，且软起动重新开始。软起动电容将完全放电，然后再释放一个上拉电流。在第一次输出脉冲之后（SS=1V），SS端充电电流将恢复到120μA。在OUT-A输出为高电平之后CS2端保持低电平50ns，以提供前沿消隐。 PIN5.TIME，输出/死区时间控制。外部电阻RSET为有源箝位输出端设置重迭时间或死区时间。接于TIME与GND端之间的电阻产生重迭时间给OUT-A和OUT-B输出脉冲。连接于TIME端与REF端的电阻RSET产生死区时间给OUT-A和OUT-B输出脉冲。 PIN6.REF，精密5V的基准电压输出端。最大输出电流10mA，用一个0.1μF的电容去耦。线路欠压锁定保护和Vcc欠压比较器激活时基准电压输出为低电平。 PIN7.VCC，内部高压起动调节器的输出端，VCC电压被调整到7.6V。如果辅助绕组提高此端的电压超过调节器设置的电压时，内部起动调整器将关断，这可以减少IC的功率损耗。 PIN8.OUT-A 主开关PWM输出驱动的输出端。有3A的峰值源漏电流的能力。 PIN9.OUT-B，有源箝位开关栅驱动的输出端。能提供1.25A的峰值源漏电流的能力。 PIN10.PGND，功率地。直接连接到模拟地。 PIN11.AGND，模拟地。直接连接到功率地。对于LLP封装，选择露出的焊接点连接在AGND。 PIN12.SS，软起动控制端。一个外部电容和一个内部20μA的电流源设置软起动斜波。当CS2端有过流过热情况时，SS端电流源会减小到1μA。 PIN13.COMP，脉宽调制器的输入端。在此端提供了一个5KΩ的内部上拉电阻。给外部光耦提供电流，从COMP端控制PWM占空比。 PIN14.RT，振荡器定时电阻端。连接于RT端与地端的外部电阻，设置内部振荡器的频率。 PIN15.SYNC，振荡器上/下同步输入端。内部振荡器可用一个频率低于内部振荡器自激振荡频率的20%的外部时钟同步。对高的同步频率没有限制。 PIN16.UVLO，线路欠压关断。从电源到地的一个外部分压器来设置比较器的关断电平。比较器的窗口为2.5V。其阈值由一个20μA的内部电流源来设置其开启和关断。 LM5025的IC内部等效电路如图1。 图1? LM5025电压型有源箝位正激PWM IC内部等效电路 采用LM5025的DC/DC电路简图如图2。 ? 图2? LM5025 控制的电压型DC/DC变换器电路 下面是细节的功能描述： 高压起动源 LM5025包含一个允许输入端Vin直接连接在线路电压上的内部高压起动调整器。此调整器的输出端内部电流被限制到20mA。当接入电源时，调节器使能并源出电流，此电流流入一个连接于VCC端的外部电容。推荐VCC调整器的电容值范围为0.1μF到100μF。当VCC端的电压达到调整点7.6V且内部基准电压达到它的调整点5V时