半导体器件在辐射作用下电学输出性能.pdfVIP

第 21卷 第 4期 同 位 素 V01．21 No．4 2008年 11月 JournalofIsotopes NOV．2008 半导体器件在辐射作用下的电学输出性能 王关全 ，张华明，罗顺忠，胡 睿，高 晖，杨玉青，魏洪源，宋宏涛 (中国工程物理研究院 核物理与化学研究所，四川 绵阳 621900) 摘要：半导体结型器件是决定辐射伏特效应同位素电池能量转换效率的核心部件。本工作采用加速器产生 的不同能量 电子束和 Ni源的G射线对硅基PiN结型器件进行辐照，在线测量了其 电学输出性能。结果表 明，当电子束能量为 18keV时，能量转换效率4％；电子束能量为 6keV时，能量转换效率为 0．16％～ 0．33 ；活度为 2．96×10Bq的 。Ni源片辐照的能量转换效率约为0．1 。 关键词 ：辐射伏特效应同位素电池；半导体器件；能量转换效率 中图分类号 ：TM910．2 文献标志码 ：A 文章编号：1000—7512(2008)04一O198—06 ElectricalCapabilitiesofSiliconDiodeon Irradiating W ANG Guan—quan，ZHANG Hua—ming，LUO Shun—zhong，HU Rui， GAO Hui，YANG Yu—qing，W EIHong—yuan，SONG Hong—tao (InstituteofNuclearPhysicsandChemistry，ChinaAcademyofEngineeringPhysics， Mianyang621900，China) Abstract：Semiconductordiode，thecoreofbetavoltaicmicrobattery，isthekeytodecide energyconversionefficiency．A sortofsilicondiodeswereirradiatedbyelectronbeam and 。Niradioactivesource，and theirelectricalcapabilitiesweremeasured during theirradia— tion．Theexperimentresultsindicatethattheenergyconversionefficiencywashigherthan 4 for18keV electronbeam ，between 0．16 and0．33 for6keV electron beam，and about0．1 for∞Niradioactivesourcewithanactivityof2．96x10。Bq． Keywords：betavoltaicmicrobattery；semiconductordiode；energyconversionefficiency 利用半导体 PIN结型器件 的特殊性质，可 锂电池的数千倍以上)、体积小、质量轻 、抗干扰 将放射性同位素的衰变能转换为电能，从而制成 性强 等 优 点，特 别 适 合 作 为 微 机 电系统 以辐射伏特效应为基础 的同位素 电池。这种 同 (MEMS)器件 的供能单元 ，如生物芯片、传感 位素电池具有理论转换效率高、使用寿命长 (视 器、内置体 内医疗器械 以及卫星星载设备等。 使用的放射性同位素半衰期而定，一般可达 10 MEMS的应用在很大程度受限于没有合适的随 年以上)、能量密度高(单位质量含能量可达普通 机 (onchip或 onboard)微 型电源支撑_ll]。通 收稿 日期 ：2008—04—14；修回日期 ：2008—09—02 基金项 目：中国工程物理研究院科学技术发展基金资助(2007A02001) 作者简介：王关全 (1977~)，男(汉族)，四川绵 阳人 ，助理研