VDMOS均匀掺杂外延区优化设计.pdfVIP

　第 20 卷第 11 期 半　导　体　学　报 . 20, . 11 V o l N o 　1999 年 11 月 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S N ov. , 1999 VDMO S 均匀掺杂外延区的优化设计 何　进　王　新　陈星弼 ( 电子科技大学微电子所　成都　610054) 摘要　本文通过外延区为均匀掺杂的VDM O S 穿通击穿条件和外延区比导通电阻R on 的理论分 析, 首次得到了R on 随外延区参数、击穿电压变化的简捷普遍关系式. 在此基础上提出了VD M O S 为均匀掺杂外延区时的优化设计理论: 对于各种高压VDM O S, 只要外延区厚度取为同衬 底浓度下突变结击穿时耗尽层宽度的最佳分割长度, 即穿通因数 的倒数 为 0 75 时, 就可保 F 证外延区R on 为最小. 凭借此理论, 本文首次推出了VDM O S 外延区优化设计的严格理论公式, 纠正了一些文献引用经验关系或突变结关系导出的设计公式的不准确性及错误结论. 这些理论 结果可直接作为功率M O S 等非电导调制器件的设计准则. : 2560 , 2560 EEACC L R 1　引言 功率M O S 场效应晶体管是在M O S 集成电路工艺基础上发展起来的新一代电力开关 器件. 自从1978 年 IR 公司推出其垂直双扩散VDM O S 新结构以来, 电力M O SFET 得到了 [ 1～ 3 ] 迅速发展 . 这种器件采用电压控制方式, 具有很大的输入阻抗, 极高的开关速度, 良好的 热稳定性等一系列独特优点, 目前已在开关稳压电源、高频加热、计算机接口电路以及功率 放大器等方面获得了广泛应用. 可以肯定, 随着功率电子器件进一步向高压、高频、大电流方 向发展,VDM O S 必将显示更广阔的应用前景. 对于VDM O S 等M O S 型功率器件, 获得足够高的击穿电压和尽可能低的导通电阻R on 是设计中需要同时考虑的两个主要方向. 对于耐压高的功率M O S 器件, R on 主要由外延区电 阻决定. 外延层愈厚, 电阻率越高, 击穿电压也愈高, 同时导通电阻也越大. 因此, 功率M O S ( ) 器件存在击穿电压与导通电阻的矛盾, 二者都主要取决于外延区参数 厚度和掺杂浓度 . 文 献[ 4 ]通过变量积分法求出了VDM O S 在最优掺杂分布条件下外延区比导通电阻R on 随击 穿电压的 2 5 次幂上升的关系. 文献[ 5 ]在考虑电流的二维效应后也得出了优化掺杂下 Ro ssel 称为VDM O S 极限关系的类似结论. 采用穿通结构可以去掉VDM O S 外延区不必要 ( ) 　 国家自然科学基金资助项目 批准号 何　进　男, 1966 年出生, 博士生, 目前研究方向为功率半导体器件及半导体材料 王　新　男, 1967 年出生, 副教授, 目前研究方向为新型功率器件及工艺 陈星弼　男, 1931 年出生, 教授, 博士导师, 长期从事新型M O S 功率器件及功率集成电路的研究 收到,定稿 978 半　导　体　学　报 20 卷 的额外欧姆压降, 因而减薄外延区厚度. 此外, 实际功率M O S 大多采用均匀掺杂的外延层 材料. 在这