AlGaN／GaN抛物量子点的尺寸相关三阶非线性极化率研究.pdfVIP

维普资讯 第 36卷第 12期 光 子 学 报 Vo1．36No．12 2007年 12月 ACTA PH()T()NICA SINICA December2007 A1GaN／GaN抛物量子点的尺寸相关 三阶非线性极化率研究 桂周琦，熊贵光 ，张熙 (武汉大学 物理科学与技术学院，武汉 430072) 摘 要 ：在有效质量近似框架下，通过求解 AIGa N／GaN 自组织圆柱形量子点的薛定谔方程， 计算 了量子点中导带电子在两个jZ．交方向：Z 和 Z 方向上产生的三阶非线性极化率 ．计算中，电 子的运动受到 自组织量子点的抛物型束缚势和 内建压 电场的影响 ．计算表明，量子点的三阶非线 性极化率的数量级达到了10 m ／v ．进一步在 z一和 z 方向上，考察了三阶非线性极化率与两 个方向上的抛物束缚势的频率 。、：，量子点的高度 L，半径R，AI的含量 之间的关系 ． 关键词：量子点；三阶非线性极化率；束缚势；内建 电场 中图分类号：O437；0472 3 文献标识码：A 文章编号 ：1004—4213(2007)12-2235—4 0 引言 电子在导带内跃迁的情况 ，它的运动受到两个 因素 影响：内建电场和抛物型束缚势．其中内建电场为压 量子点材料以其独特的能带结构、优 良的非线 电场和 自发极化场之和．计算 中采用抛物型的束缚 性光学性质使其在光学通讯 、新型激光光源等方面 势是因为这种情况更为接近于量子点 内部的载流子 有重要的应用前景l】]，同时 ，量子点 的实际应用又 真实受限情况 ． 进一步要求其有较高的光学损伤阈值和较大的非线 性光学效应 _5]． GaN基量子点由于其较强的量子效应，可以获 得 比量子阱器件更优异 的非线性光学性质 ，近年受 到广泛关注l6]．由于 AIN和 GaN之间比较大的晶 格失 配 导 致 在 AIGa一 N／GaN 量 子 阱 中 的 AI,GaNl_．N AIGa N激活层 中载流子空 间受限程度得到增 A aNlrN 强，从而提高了以AIGa N为有源层 的光学器件 的发 光 效率 ]．另 外 ，对 纤 锌 矿 结 构 的 应 变 AIGa一N有源层，不但存在强的 自发极化，而且存 l AlGal… N／GaN 枉 彤 量 于 点 在强的压 电极化 ．自发极化和压电极化共 同导致 Fig— A diagram ofAIGa N／GaN quantum dots AIGa N／GaN有源层的[oooi]方 向上出现 MV／ 在有限质量近似框架下，量子点 中的单电子的 cm数量级的强 内建 电场 ]．此电场会导致量子点 哈密顿量可写为 的有效禁带宽度明显变窄 ．由于量子约束斯塔克效 ☆一嘉[吉 P()+蓦+蓦]+ 应 ，内建电场对量子点的光学性质有很大的影响． 因此，影 响 AIGa一N 光跃 迁 有 以下两 个 因 [ +~-rne 卜 一芸 · 素：量子点束缚势和内建电场 ． 1 理论计算 [吉P()+1蓦+吉 2P])+ 本文研究的A1Ga N／GaN 自组织圆柱形量 {～2m：aZ2+十吉 么z一一 么z}}一一 子点的模型如图 1，量子点 的高度为 L，半径为 R． ☆(p，)+H(z) (1) 在垂直于 z方 向(z 方 向)，量子点周围被宽带隙材