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GaN基功率LED高低温特性研究
论文
第30卷第2期20lo年6月
固体电子学研究与进展
RESEARCH&PROGRESSOFSSE
V01.30,N。.2
Jun.,2010
矿口^q产口ppp吨,冬光电子学龟■\《\s“一毋一?
GaN基功率LED高低温特性研究’
贾学姣
郭伟玲”高伟
裘利平李瑞毛德丰沈光地
(北京工业大学,光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京,100124)
2009一ol一20收稿.2009一05一14收改稿
摘要:首次对自制的GaN基大功率白光和蓝光发光二极管在~30~100。C的温度下进行了在线的光电特性测试,对两种不同LED的正向电压、相对光强、波长、色温等参数随温度变化的关系进行了数据曲线拟合,对比分析了参数变化的原因,以及这些变化对实际应用的影响。结果表明,温度对大功率LED的光电特性有很大影响,通过对比发现白光LED的部分光参数随温度的变化不仅与GaN芯片有关,同时受到荧光粉的影响。低温环境下,要考虑LED的正向电压升高和峰值波长蓝移对应用的影响;而高温条件下要考虑光功率降低和峰值波长红移对应用的影
响。
关键词:氮化镓;功率发光二极管;低温;正向电压;峰值波长中图分类号:TN312.8
文献标识码:A
文章编号:1000.3819(20lO)02一0304—04
TheCharacteristicsofGaNBasedLEDatLowandHighTemperature
JIAXuejiao
GUO
Weiling
GA0
WeiQIULiping
LIRui
MA0DefengSHENGuangdi
(KeyLa60ratory
o,op£o—ezec£r0扎icsT凸ch∞???ogy,Mi孔istryofEd堪c口tion,
Bei并"gUniUers{£/doc/57c3a8e2982565.html,对Technolg了,Bei扣ng,100124,CHN)
Abstract:ThehighpowerGaN—basedblueandwhitelightemittingdiodes(I。EDs)aretested
on
line
at
temperaturesfrom一30。C
to
100。C.Themeasureddata
are
fittedfortherelationship
betweentemperaturesandthepropertyofforwardVoltages,lightrelatiVeintensity,wavelength,andc010rtemperatureoftwodifferentkindsofLEDs.theirinfluence
on
The
reasons
ofthesepropertychangesand
Theresults
theapplications
are
alsoanalyzedandcomparedwitheachother.
on
showthattemperaturehasgreatinfluenceandtheperformancesofwhiteLEDslowphosphors.
Forapplications
at
at
theperformancesofhighpowerGaN—basedLEDs,
differenttemperaturesalsohavesomerelationswithyel-
the
forwardvoltagerisingand
thepeak
:///doc/57c3a8e2982565.htmlarlowtemperature,
at
wavelengthblue—shiftingmustbeconsidered;and
hightemperature,thelightrelativeintensity
decreasingandthepeakwaVelengthred—shiftingmustbeconsidered.
Key
words.GaN;powerLED;Iowtemperature;forwardVoltage;peakwaVelength
EEACC:7360L;4260D
士
石
制一直是全球半导体产业投资的热点,在成功解决了GaN材料外延生长和P型化的问题之后,Nichia公司于1991年成功研制出了掺Mg的同质结蓝光
20世纪9
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