MOCVD生长温度对氧化锌薄膜结构及发光性能影响.pdfVIP

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2017-08-30 发布于安徽
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MOCVD生长温度对氧化锌薄膜结构及发光性能影响.pdf

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第39卷第 1期人工晶体学报 VD】．39 No．1 2010年2月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS Febmarv．201O EffectofGrowthTemperatureontheStructuraland OpticalPropertiesofZnO FilmsGrown byM OCVD WANGZhen—hua．YANGAn—li，LIUXiang—lin，WElHong—yuan，JIAOChun-mei， ZHUQin—sheng，rANGShao—yan，WANGZhan—guo (StateKeyLaboratoryforSuperlatticesandMicrostructures，InstituteofSemiconductors，ChineseAcademyofSciences，Beijing100083，China) (Received16March2009，accepted23March2009) Abstract：ZnOfilmsweregrownonSi(111)substratesbymetalorganicchemicalvapordeposition (MOCVD)methodusingmethanolasoxygensourceat400to600℃．Themorphologiesandthecrystal qualitywere characterizedbyfield—emission scanning electron microscopy andX-raydiffraction．SEM resultsshowed thatlowertemperaturewasbeneficialfortwo—dimension growth．With the temperature decreases，the(101)diffractionpeakbecomesthedominantpeakinsteadofdiffraction (002)，This resultisdifferentfrom thosegrownusingotheroxidantsinceinmostpreviousworkonZnO growth，ZnO hasan intensec—orientation．Itis suggested thatthe incomplete decomposition ofmethanolatlower temperaturerestrainsthegrowthalongc—axis．Room temperaturephot0luminescencespectroscopyresults show thatthesampleshavenear—bandedgeemissionsathighergrowth temperature．Andtheemission intensityofthem decreasedasthetemperaturedecreasing． Keywords：ZnO；methanol；MOCVD；growthtemperature CLCnumber：0484 DocumentCOde：A ArticleID：1000—985X(2010)Ol-0034-05 MOCVD生长温度对氧化锌薄膜结构及发光性能的影响王振华，杨安丽，刘祥林，魏鸿源，焦春美，朱勤生，杨少延，王占国 (中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室，北京 100083) 摘要：利用甲醇做氧源，采用金属有机物化学气相沉积 (MOCVD)工艺在硅(111)衬底上生长了一系列的氧化锌薄膜，生长温度为400～600oC。薄膜的表面形貌及晶体质量分别利用场发射扫描电镜及x射线衍射仪进行了测量。研究表明：随着生长