半金属Fe3O4薄膜制备工艺探索.pdfVIP

维普资讯 第 21卷 第 3期 无 机 材 料 学报 Vo1．21，NO．3 2006年 5月 JournalofInorganicMaterials M ay，2006 文章编号：1000—324X(2006)03—0741—06 半金属 Fe3O4薄膜的制备工艺探索 唐晓莉，张怀武，苏 桦，钟智勇 (电子科技大学微 电子与固体 电子学院，成都610054) 摘 要： 半金属材料Fe3O 是一种新型的功能 自旋电子材料，由于其具有百分之百的 自旋极化 率而备受关注．但由于铁元素存在多种价态的氧化物，使得制备单一成分的Fe304非常困难， 因而本文着重对磁控反应溅射制备单一成分的 Fe304薄膜进行了研究，探索了晶化温度对薄 膜结构的影响，并通过引入缓冲层 Ta对其性能进行改善，得到了反应溅射制备半金属 Fe304 的最优条件．另外，通过对所制备的Fe304薄膜磁电阻效应的测试，发现多晶Fe304具有同单 晶Fe3o4薄膜类似的负磁电阻效应，因此有望将其应用到自旋 电子器件 中． 关 键 词：半金属材料；自旋 电子材料；Fe304薄膜 中图分类号：O482 文献标识码：A 1 引言 半金属材料作为一种新型的自旋材料，由于其具有百分之百的 自旋极化率，在众多 的 自旋 电子器件上都有着 巨大的应用潜力 ，因而越来越受到 国际上 的广泛关注 【引．其 半金属性主要是 由其特殊的能带结构所决定的，表现为一 自旋方 向的电子呈现金属的导 电性，而另一 自旋方 向的电子呈现半导体或绝缘特性 [4】_在这种材料 中导 电电子的 自旋 将朝 同一方 向，因而具有百分之百的极化率．目前，通过能带计算及实验 ，发现的半金属 材料主要有 La1--xSrzMnO3[5J NiMnSb[引 、 、 Sr2FeMoO~7J、crGsJ、Fe30 U。等．由于 La1一SrMnO3(=360K)、CrO2(=395K)等的居里温度较低，不宜制备室温下使用的 自 旋 电子器件 ，而使具有较高居里温度的 Fe304(=858K)薄膜成了实用性半金属材料的首选 而备受关注 [11]． 成分单一的Fe30 薄膜 的制备是 目前对该半金属研究的一个核心问题 ．在 目前发表 的 有关研究论文中，主要是采用不同的制备方法制备成分单一的Fe30 单晶薄膜，比如：分 子束外延 (MBE)[、反应离子束沉积 (IBD)[】、激光分子束沉积 (PLD)[坞】、外场辅助射频 溅射 (RF) 并对其磁性能、结构特性进行研究．由于单 晶薄膜制备对基片及制备条件要求 较高，在本研究中主要选用较为简单的磁控反应溅射法来制备 Fe30 薄膜，通过引入缓冲 层及优化退火温度，寻找制备单一成分 Fe30 薄膜的最佳条件 ，以期将其应用于 自旋 电子 器件的制备 中． 收稿 日期， 2005-04—28，收到修改稿 日期：2005-09—30 基金项 目t 国家 自然科学基金 ；电子科技大学校青年基金 作者简介t 唐晓莉 (1977_)，女，博士研究生，讲师． E-mail：tangtang1227~163．Gom 维普资讯 742 无 机 材 料 学报 2 实验 Fe3O4薄膜样品的制备选用纯度为 99．999％的Fe靶 ，在氩气及氧气的混合气体 中进行 磁控反应溅射，然后将薄膜置于真空红外快速退火炉中进行快速退火后处理，使其晶化形 成多晶Fe3O4．为使各样 品具有可 比性 ，其厚度均控制在 150nm．由于在不同的溅射功率、 气氛条件下，Fe的多种氧化物如 Fe2O3、FeO会与Fe3O4同时生成，另相的存在会大大降 低半金属 Fe。O 的极化率．因而，制备成分单一的 Fe。O 薄膜是将其运用于 自旋 电子器件 中的一个关键问题 ．在制备单一成分Fe。O 薄膜的过程 中，为减少实验的难度，采用