低温多晶硅薄膜制备工艺的研究.pdfVIP

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2017-08-30 发布于安徽
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低温多晶硅薄膜制备工艺的研究.pdf

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第45卷第1期 V01．45．NO．1 真空 VACI】1乃订 2008年1月 Jan．2008 低温多晶硅薄膜的制备工艺研究杨定宇，蒋孟衡，杨军 f成都信息工程学院光电技术系，四川成都610225) 摘要：低温多晶硅薄膜是制备高性能薄膜晶体管的首选材料，由其制成的薄膜晶体管由于在平板显示器件驱动中所展现的优越性能而受到广泛关注。本文系统介绍了低温多晶硅薄膜的三种制备方法一金属诱导横向晶化法、准分子激光晶化法和电感耦合等离子体化学气相沉积法的原理和研究进展，比较了它们之间各自的优缺点，最后对该领域的发展前景进行了展望。关键词：低温多晶硅薄膜：金属诱导横向晶化：准分子激光晶化：电感耦合等离子体化学气相沉积中图分类号：TN304 文献标识码：A 文章编号码：1002—0322(2008)01—004t一04 Researchon of films processeslow-temperaturepoly-silicon preparation YANG Jun Ding-yu，JIANGMeng-heng，YANG ofInformation Technology，Chengdu (ChengduUniversity 610225，China) siliconthinfilms t}Iefirstchoiceforthefabricationofthinfilm Abstract：The fLTPS)，as lOW—temperaturepolycrystalline attractedmoreandmoreattention becauseofitsexceHent forfiat transistor(，rFT)，have paneldisplay． recently performance thethree of metal—induced Describes the andRDof LTPS，ie．，the systematicallyworkingprinciple preparationprocesses lateral laser coupled their crystallization(MILC),excimerannealing(ELA)andinductivelyplasma each oudookforthethree is madein totheir and with other．An advantagesdisadvantagescompared processes respect