F掺杂SnO2电子结构的模拟计算.pdfVIP

维普资讯 第 56卷 第 l2期 2007年 l2月 物 理 学 报 Vo1．56，No．12，December，20o7 1000．329O／20o7／56(12)／7195．06 ACTA PHYSICA S1NICA ⑥2007Chin．Phys．Soc． F掺杂 SnO2电子结构的模拟计算* 徐 互0 黄水平 王占山t鲁大学 苑同锁 1)(同济大学物理系 ，精密光学工程技术研 究所 ，上海 200092) 2)(中国耀华玻璃集 团公 司，秦皇 岛 066013) (2007年 3月 1日收到 ；2007年 7月20 目收到修改稿 ) 采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法对 SnO ：F体系的电子结构进行 了第一性原理模拟计算 ．用广义梯 度近似方法优化 SnO ：F体系的晶胞结构，计算 了体系基态总能．通过确定 F掺杂对 O的优先替代位置 ，计算 了 SnO ：F的能带结构、态密度 、分波态密度 ．分析 了F掺杂对 SnO 晶体 的电子结构和晶体性质及光学吸收边的影响， 从理论上得 出光学吸收边发生蓝移 ．对不同掺杂量的体系电子结构进行 了分析 ． 关键词 ：F掺杂 ，SnO，电子结构 ，态密度 PACC：7115A，7115H，7l15J，7360F 前驱体制备出FTO薄膜 ，研究了FTO薄膜的表面结 1．引 言 构及光 电性质随薄膜厚度 的变化关系。尽管也有针 对 SnO，晶体进行第一性原理计算，如 Nabi等 刚 透 明导电氧化物 (transparentconductiveoxide，简 曾采用全势线性缀加平面波 (FP—LAPW)方法计算 了 记为 TCO)薄膜主要包括 cd，sb，zn和 In的氧化物 SnO，的能带结构 ，但是对 F掺杂 SnO 电子结构进 及其复合多元氧化物薄膜材料 ，具有一系列独特的 行第一性原理模拟还鲜有报道 ．因此 ，本文对 FTO 光电性能，如禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻 晶体电子结构进行了模拟计算 ，并对计算结果进行 率低等 ，广泛应用于太阳电池、平面显示 、特殊功能 了分析 ，以期对 FTO薄膜 的掺杂改性等提供理论 窗 口涂层及其他光 电器件 领域 ．SnO，：F(FTO) 依据 ． 薄膜具有热稳定性好 、化学性质稳 定、硬度 高等特 点 ，并且生产设备简单 、工艺周期短 、原材料价格低 2．计算模型及方法 廉 ．较之用其他元素 (如 In，sb，zn和 cd等)对 SnO， 掺杂而形成的氧化物材料 ，具有更高的电导率 、更大 SnO，为金 红石 (rutile)结 构 ，空 间群 为 的光学透射率及红外反射率 ，是低辐射镀膜玻璃 P4／mrtm，对称性 D 晶格常数 a=p=y=90。， (1owemissivitycoatingglass)功能层的理想材料 ，具有 Ⅱ：b=0．4737nm．c=0．3186nm．SnO，属体心四方 十分广 阔的应用前景 ．但 目前针对 FTO薄膜 的研 晶系 ，sn原子 占据 四方体顶点和体心位置 ，O原子 究，主要 关 注 的是 实验 室 制 备及 工 艺 的改进 ．如 形成 了歪 曲的六方最紧密堆积 ，体心位置处的 sn原 2002年 ，Thangaraju 采用更为经济 、更便于实验 室 子 占据了半数八面体空 隙．SnO，晶体的结构可看成 制备 的SnC1作为反应前驱体取代当时普遍使用的