HgTe量子阱中的量子自旋霍尔绝缘态.pdfVIP

维普资讯 中山大学研究生学刊 (自然科学、医学版) 第28卷第4期 JOURNALOFTHEGRADUATES VOL．28NQ4 2007 SUNYAT—SENUNIVERSlTY (NATURALSCIENCES、MEDICINE) 2007 HgTe量子阱中的量子 自旋霍尔绝缘态 原著：MarkusKonig1)SteffenWiedmann ChristophBrtine AndreasRoth’HartmutBuhmann¨LaurensW Molenkamp’ ． Xiao—LiangQiShou—ChengZhang 1)PhysikalischesInstitut(EPIII)，UniversitatWtirzburg， D一97074Wtirzburg，Germany． 2)DepartmentofPhysics，McCulloughBuilding，StanfordUniversity， Stanford，CA 94305 —4045，USA 翻译：黄光耀 赵安 (中山大学理工学院，1)07硕2)06硕，广州510275) 摘 要：近来，理论研究预言量子霍尔效应，在外加磁场为0的情况下物质 出现的一种全新的量子态可 以在 HgTe／(Hg，Cd)Te量子阱中实现。我们制 造 了低密度高迁移率的样品结构，在样品中我们可以通过外加栅极 电压调节载 流子从n型穿过绝缘区到P型。对于宽度 d6．3nm的薄量子阱，绝缘区在低 温下具有常规的难 以察觉的微小电导。然而，对于厚的量子阱 (d6．3nm)， 在绝缘层中也出现接近2e／h的剩余电导，其中e是电子电荷，h是Planck常 数．剩余 电导与样品宽度无关，证 明这是 由边缘态引起的．此外剩余 电导可以 被微小的外加磁场所破坏．在临界厚度 d=6、3nm处发生的量子相变也与磁场 诱发的绝缘 一金属转变互相独立．这些观察结果为量子 自旋霍尔效应提供 了实 验证据? 关键词 ：自旋；霍尔效应；边缘态；量子阱 早于25年前发现的量子霍尔效应HJ，即材料的 “霍尔”(或称 “横向电子”)电导 的量子化，给物理学界带来了一个全面的惊喜。这个效应发生在高强磁场中分层的金属 里，由在样品边缘产生的一维导电通道引起 。每条这个的边缘通道中，电流只会沿着一 个方向。它们都表现出一种一维输运的特性：量子化的电导。样品中边缘通道的数 目是 和量子霍尔电导的值直接相联系的。另外，这些通道当中的电荷载流子非常不容易被散 射。因此，不仅量子霍尔效应能在宏观样品中观察到，而且电荷载流子在通过这些通道 收稿 日期：2007—11—08，原文发表于Seience，2007，318：766 维普资讯 《研究生学刊》(自然科学、医学版) 二oo七年第四期 输运的过程中没有能量的耗散。所以，量子霍尔边缘通道在集成电路中的应用就显得十 分有价值，因为在集成电路 中，随着器件越做越小，能量的耗散就成了越来越大的问 题。当然，这里仍有一些难以应付的问题需要克服——量子霍尔效应只在低温和高强磁 场中发生。 在过去的几年里，理论物理学家们提出 这种边缘通道的电流输运在没有磁场的情 况也有可能出现。他们预言 ，在一些有合适的电子结构的绝缘体中，边缘态会发生 于——这与量子霍尔效应不同——相反 自旋的载流子在一个给定的边缘中向相反的方向 运动时。这就是量子 自旋霍尔效应，对它的观察已经成为这个领域中的热门追求。 尽管有很多天然的绝缘体，但它们中大部分的结构特性不适合让量子 自旋霍尔效应 被观察到。这就是 H e的用武之地了。H e块材是一种 Ⅱ一Ⅵ族