InGaN薄膜中电子自旋偏振弛豫时间分辨吸收光谱的研究.pdfVIP

InGaN薄膜中电子自旋偏振弛豫的时间分辨吸收光谱研究* 陈小雪 滕利华 刘晓东 黄绮雯 文锦辉 林位株 赖天树† （中山大学光电材料与技术国家重点实验室，物理科学与工程技术学院，广州，510275 ） †Email ：stslts@ 采用飞秒时间分辨圆偏振光泵浦－探测光谱对In0.1Ga0.9N薄膜的电子自旋注入和弛豫进行了研究.获得 初始自旋偏振度约为 0.2，此结果支持在圆偏振光激发下，重、轻空穴带的跃迁强度比为 3:1，而不支持 1:1 或 1:0.94 的观点.同时获得自旋偏振弛豫时间为490±70 ps ，定性分析了自旋弛豫机制，认为BAP机制是电 子自旋弛豫的主要机制. 关键词：电子自旋，InGaN，自旋极化，自旋弛豫 PACC ：7847，6740F，7730，7280E 1. 引言 [1] 自旋电子学是一门研究电子自旋特性及其应用的学科 .自 1988 年Baibich等人发现巨 [2] [3] 磁阻效应以来 ，电子自旋在铁磁材料中的应用取得了巨大成功 .这使得人们希望利用当 今广泛应用的半导体材料来制作半导体自旋功能器件[4]，例如自旋发光二极管、自旋场效应 管等，实现途径之一是形成居里温度在室温之上的掺磁半导体材料，并希望其具有长的自旋 弛豫时间[5].与其它半导体材料相比，GaN 的掺磁材料居里温度达到 370 K[6]，并且由于其宽 带隙和弱的自旋－轨道相互作用，理论预言GaN及其相关的三元化合物，例如InGaN，具有 [7] 长的自旋弛豫时间 . InGaN材料现在被广泛应用于发光二极管、激光二极管和波长从紫外到可见光区域的垂 直腔面发射激光器等领域，并且是未来圆偏振光发光器件的潜在应用材料.要获得高圆偏振 度发光，室温下的高效率自旋注入和长的电子自旋寿命是这些光功能器件的关键参数 [8] [9] .Julier等人 报导了在In0.16Ga0.84N/GaN 多量子阱中，在 10 K的温度下自旋弛豫时间达到 100 ps.Nagahara 等人[10] 则报导了室温下In0.106Ga0.894N 量子阱的自旋弛豫时间长达 220 ps.Buyanova等人[7]采用发光法研究了具有GaMnN注入层的InGaN/GaN量子阱的自旋偏振特 * 国家自然科学基金（批准号60678009 ）和高等学校博士学科点专项科研基金(批准号： 20050558030)资助的课题. 1 性，发现注入效率非常低，认为是由于Rashba效应的缘故.同时，Chen等人[11]和Buyanova等 人[12]分别研究了在强磁场的条件下，具有InGaN/GaMnN结构的自旋LED 的自旋偏振特性， 均观察到较低（10％）的荧光圆偏振度，因此认为从GaMnN 向InGaN 的自旋注入效率低.事 实上，荧光圆偏振度并不能总是正确反映自旋偏振度[13] ，这就需要采用新的方法进一步研 究自旋注入效率.另外，Tackeuchi等[14]采用泵浦－探测方法研究了InGaN体材料的自旋特性， 并没有观察到自旋偏振，作者认为主要原因是材料中In组份失谐，导致在探测光斑尺寸范围 内，不同样品点的带隙能量差达到 100 meV以上，使得重轻空穴带的激发强度相同.作者还 提到在圆偏振光激发下，重、轻空穴带的电子跃迁强度比为 1:1，而Chen[11]等认为此比例为 1:0.94，Nagahara等[10]则认为此比例为 3:1，这反映了在基础理论研究方面尚存在争议，有必 要对此进行实验研究. 泵浦－探测吸收光谱技术基于饱和吸收效应，它直接反映导带载流子的布居状态，避 免了发光法的缺陷.本文采用飞秒时间分辨圆偏振光泵浦－探测光谱技术，对 InGaN 薄膜中 电子自旋极化注入和弛豫进行了