非晶La2O3薄膜阻变存储性能的研究.pdfVIP

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2017-08-30 发布于安徽
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非晶La2O3薄膜阻变存储性能的研究.pdf

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第36卷第4期稀有金属 2012年7月 CHINESE RARE VoL36 NA4 JOURNALOF METALS JlIL2012 非晶La203薄膜的阻变存储性能研究赵鸿滨，屠海令。，杜军，张心强 (北京有色金属研究总院先进电子材料研究所，北京100088) x106 B的读电压，高电阻转变特性。Ⅳh203／Pt器件单元表现出了稳定的双极性电阻转变，其高低阻态比大于两个数量级。经过大于1．8 低阻态的电阻值没有明显的变化，表现出了良好的数据保持能力。通过研究高低阻态的电流电压关系、电阻值与器件面积的关系，揭示了导电细丝的形成和破灭机制是导致ⅣL且203／gt器件发生电阻转变现象的主要原因。关键词：氧化镧；电阻转变；非易失性；脉冲激光沉积 0258—7076．2012．04．012 doi：10．3969／j．j矗8IL 中圈分类号：TN386．1文献标识码：A 文章编号：0258—707612012)一04—0574一04 onResistive Behaviorsin Filmsfor Switching Amorphous Investigation La203 StorageApplication Zhao Hongbin，TuHailing‘，DuJun，ZhangXinqiang Research (Aamnc蒯ElectronicMazerial塔Institute，GeneralInstituteforNon—Ferrous舭，Beijing100088，C舫m) resistive inthe lilms substmtes laser Abstract：Theswitching dep∞ited帆Pt／Ti／Si02／$iby propertiesamorphous【^203 pulsed were behaviomof d州c伪welreobtained．Theceilsexhibited depositioninvmir弘ted．Steadybipolarswitching Pt／L丑203／Pt memory x obvious of resistanceratioover1 nO 1．8×106 data hig壬l 102，and degradation妇darations，indicating学Dodn酏endon．Bystudying the betweencurrentand atlowresistance resistance resietancevaluesofPt／ relationship voltage 8诅te(LRS)andhigh state(HITS)，the deviceatHRSandLgSfordifferentelectrodecouldbeconcludedthatthe and ofconductiveilia- I^0，／Pt