Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体整体多结级连太阳电池——光伏技术新突破.pdfVIP

维普资讯 ————————二二二二二二二二二二二二二二]瞄_ 醢 _■ — — _ — — — — — — — — — — — — — — — 一 — — — — — — — — — — — — — — — — — — — _ — — — — — — — 一 Ill—V族化合物半导体整体多结级连太阳电池 光伏技术的新突破 陈文浚 带电子激发到导带 ，不能对光生电流产生贡献 ，这构成了光 电 转换中的电流损失。而能量高于半导体带隙宽度的光子只能 将一个电子激发到导带，把与带隙宽度相当的能量传给光生 载流子，多余的能量则将以声子的形式传给晶格 ，变成热能 ， 构成光电转换 中所谓的电压损失。因此，若选择窄带隙半导 体 ，则太阳电池的短路电流密度高而开路电压低 ；若选择宽带 隙半导体，则太阳电池的开路电压高而短路电流密度低。顾此 而失彼，除非引入新的机理4[J，其光电转换效率为固有的带隙 宽度所限制，非聚光条件下的理论上限为30％。即使是带隙宽 度与太阳光谱较为匹配的GaAs单结电池 ，已实现的AM1．5 效率的最好结果也仅为25％_5l。 作者近 照 显然，以多种带隙宽度不同的半导体材料构成级连太阳 从 1954年第一只光电转换效率达到实际应用水平的硅 电池 ，用各级子电池去吸收利用与其带隙宽度最相匹配的那 太阳电池在美国贝尔实验室诞生起 ，光伏技术已有了5O多年 部分太阳光谱 ，从而减小上述单结电池在光电转换过程中的 的发展历史。在上个世纪 7O年代引发的能源危机刺激下 ，在 “电流损失”和 “电压损失”，是突破上述光电转换效率限制 空间飞行器能源系统需求的牵引下，这一技术领域内不断取 的最好途径。如图 1所示，当设计方案为各级子电池相互叠加 得重要技术突破。晶体硅太阳电池、非晶硅薄膜太阳电池、III— 时，子电池要按材料的带隙宽度从宽到窄依次排列。太阳光首 V族化合物半导体太阳电池 、II．Ⅵ族化合物半导体多晶薄膜 先进入顶部带隙最宽的第一级，未被吸收的波长较长的光则 太阳电池等，越来越多的太阳电池技术 日趋成熟 。光电转换效 逐级向下透射进入下层各级电池 ，直至被全部吸收。事实上，早 率的不断提高及制造成本的持续降低，使今天的光伏技术在 在硅太阳电池在贝尔实验室诞生的第二年，即 1955年，就已经 空间和地面都得到了越来越广泛的应用。而回顾和评价光伏 有人提出这样的设计思想。从上个世纪 7O年代起 ，在硅和砷化 技术在最近 10年的进展，基于砷化镓的III．V族化