Bi底层对FexPt100-x(x = 40～58)薄膜磁性影响.pdfVIP

Bi底层对Fe Pt (x = 40～58)薄膜磁性的影响∗ x 100-x 1 1,2 1 1 1 1 1 冯春 ，李宝河 ，韩刚 ，滕蛟 ，杨涛 ，姜勇 ，于广华 1 (北京科技大学材料物理与化学系，北京，100083) 2 (北京工商大学数理部，北京，100037) E-mail: ghyu@ 摘要：本文研究了Bi做底层对Fe Pt 薄膜(Fe的原子含量 x = 40～58)的有序化和矫顽力H x 100-x c 的影响。实验结果表明：以Bi做底层可以显著提高薄膜的H ，400oC 退火20分钟后， c Bi / Fe Pt 薄膜的H 达到1074.3 kA/m，剩磁比M / M 也达到0.93。其原因是Bi原子的扩散 49 51 c r s 大大促进了FePt薄膜的有序化进程。Fe Pt 薄膜在x = 49～55范围内可具有较高的H ，而 x 100-x c 以Bi做底层的Fe Pt 薄膜可在x = 43～55 范围内获得高H ，此范围内薄膜的H 随FePt成分 x 100-x c c 影响较小。 关键词：L1 -FePt薄膜 底层 扩散 成分 矫顽力 0 1．引言 6 2 [1] L1 -FePt有序合金具有高达 7×10 J/m 的单轴磁晶各向异性能 ，可以在颗粒尺寸小于 5 0 nm 时，仍然保持良好的热稳定性[2] [3] ，成为未来超高密度磁记录介质的首选材料 。然而，未 来超高密度磁记录要求磁记录介质具有较高的矫顽力Hc ，一般高于 500 kA/m [4,5] 。FePt薄膜 通常需要采用基片加热或高于 500 oC [6] 的退火工艺来实现fcc软磁相向L1 硬磁相的转变，以 0 获得高H 。过高退火温度会形成过大的FePt 晶粒和较粗糙的表面，不利于实现超高密度磁记 c 录，所以必须使薄膜在低温退火后就具有高矫顽力。但许多研究结果表明[7-9] ：低温退火后 的薄膜的H 受成分因素的影响较大，即获得高H 的成分范围较窄。因此，如何在较低的退火 c