TH72002 ASK 315MHz发射器课程设计.docVIP

课程设计 题目：TH72002 ASK 315MHz发射器 学院： 电气工程学院 专业： 电子信息工程 班级： 054 学号： 20056470109 姓名： 王 涛 指导老师: 黄智伟 陈和 二00八年六月 TH72002 ASK 315MHz发射器电路设计 摘要 简要介绍了无线数据发射TH72002的功能，内部结构，引脚及其应用电路的功能 。TH72002是一款符合EN 300 220及类似标准的单片发射器芯片TH72002是一款符合EN 300 220及类似标准的单片发射器芯片，可应用于无钥匙进入系统、遥控／遥测系统、数据通信系统和安防等系统中。 ??? 主要技术特点如下： ??? ·完全集成且稳定的PLL； ??? ·工作频率为290～350 MHz： ??? ·单端RF输出； ??? ·ASK调制方式；? ??? ·ASK调制通过内部功率放大器的导通／关闭键控法来实现，ASK调制速率达40 Kb／s； ??? ·电源电压为l.9～5.5 V；? ??? ·作电流为3.5～10.7 mA可调，待机电流为0.1μA；?? ·输出功率为-12～+8.5 dBm可调。IPSEL = 0 TX active: IPSEL = 8μA 6 VCC 补充 阳极电源 7 OUT 输出 功率放大器输出 8 VEE 接地 接电源负极 3．TH72002芯片内部结构与工作原理 TH72002芯片内部结构框图如下： 由上图可知，芯片内部包含晶体振荡器（XOSC），晶体振荡器缓冲器（XBUF）,）））））1 个晶体振荡器与功能的电容器是用来作为参考振荡器锁相环。等效输入电容CRO晶体振荡器输入引脚的大约是18pf 。晶体振荡器是提供一个振幅控制回路，以便在短期一个非常稳定的频率超过指定的供电电压和温度范围 调制锁相环发射机，可要求调制通过应用数据流直接在引脚askdta 。这原来的内部电流源的功率放大器和关闭一 因此，导致一问信号输出 一个晶体是由制造商所要求的振荡频率f0在某一负载电容Cl和内部指定的校准公差。显示振荡频率一个有效负载电容。这个数字也说明了外部拉动电容器和中心频率之间的关系。 可以看出，拉动敏感性增加与减少氯离子。为高精确度要求，更高的负载电容输出功率的选择是提供输出功率选择功能。有4个预定义的输出功率的和一可以通过选择引脚psel 。一数字电源调整，因为高的准确性和稳定性。数目的步骤和步长，以及相应的权力，输出功率控制如图所示。 图2 3.5锁定检测锁定检测电路PLL频率锁对功率放大器后，如果PLL的没有上锁这可防止从的。 低电压检测电力供应的电压是由低电压检测电路，如果供电电压下降到低于约1.85，功率放大器是关闭的 如果供电电压过低这样做是为了防止模式控制逻辑模式控制逻辑，允许两种不同的运作模式，下表中列出。模式控制引脚entx是拉式的内部。这保证了整个电路关闭时序图使发射机由entx信号之后，，功率放大器仍然时间，发射机的时间。晶体振荡器开始振荡和PLL频率锁所需的输出频率时间。 PLL频率锁定成功后，锁定信号轮流对功率放大器，然后射频可调制。 °C 交合点温度 Tj 150 °C 热敏电阻 Rthja 163 K/W 功率消耗 Pdiss 0.12 W 放出静电 Vesd1 -2.0 +2.0 KV Vesd2 -2.0 +0.75 KV 正常工作状态条件： 参数 符号 条件 最小值 最大值 单位· 提供电压 VCC 1.9 5.5 V 运行温度 TA -40 125 °C 输入低电压CMOS VIL ENTX,ASKDTA引脚 0.3*VCC V 输入高电压CMOS VIH ENTX,ASKDTA引脚 0.7*VCC V XOSC 频率 fref 把晶体拿开 9 10.9 MHz VCO频率 fc fc = 32 ? fref 290 350 MHz 比特率 R NRZ 40 kbit/s 还有一些特性可从一些书籍上查询到，在此就不多做列举。 4.TH72002应用电路设计 4.1 TH72002 ASK 315MHz发射器原理方框图： 4.2 TH72002 ASK 315MHz发射器电路的元器件参数： 符号 名称 尺寸 允许误差 数值（在315MHz）??? 待定TBD CM1 阻值匹配电容 0805 ??? 待