掺锆氧化锌透明导电薄膜制备及特性的研究.pdfVIP

掺锆氧化锌透明导电薄膜的制备及特性研究 刘汉法，张化福，类成新，袁长坤 （山东理工大学物理与光电信息技术学院，山东淄博２５５０４９） ０引言 透明导电氧化物（ＴＣＯ）在液晶显示器（ＬＣＤ）、有机电致发光二极管 （ＯＬＥＤ）、太阳能电池等微电子领域有着广泛的应用[1-3]。锡掺杂的氧 化铟 （ＩＴＯ）薄膜具有透过率高、电阻率低和功函数大等优点，是目前应 用最为广泛的透明导电氧化物。当应用到某些方面，如透明加热器和化学传 感器时，要求透明 导电薄膜可以在反复高温下稳定工作。但是，当温度大于 ７００Ｋ时，ＩＴＯ薄膜会出现（＞１０００Ｋ）测试后性能稳定，未出现 明显退化现象[5]，因此，有 望成为ＩＴＯ薄膜在高温领域的理想替代产品。 并且，与ＩＴＯ相比，ＺｎＯ∶Ｚｒ薄膜还具有无毒、价格便宜、资源丰富 等优点。 目前，国内外关于ＺｎＯ∶Ｚｒ透明导电薄膜的研究报道很少，Ｈ　Ｋｉｍ 等人[6]用脉冲激光沉积法制备的ＺｎＯ∶Ｚｒ透明导电薄膜可见光区平均 透过率只有 ８８％；Ｇ　Ｋ　Ｐａｕｌ等人[7]用溶胶　凝胶法制备的Ｚｎ Ｏ∶Ｚｒ薄膜最低电阻率为７.２×１０-２Ω?ｃｍ；Ｍ　Ｓ　Ｌｖ等人[8] 采用溅射法制备 出了较好的ＺｎＯ∶Ｚｒ透明导电薄膜，其最小电阻率为 ２.０７×１０-３Ω?ｃｍ，可见光区平均透过率接近９０％。本文采用射频 磁控溅射法在水冷玻璃衬底 上制备出了具有良好附着性能的ＺｎＯ∶Ｚｒ 透明导电薄膜。分析讨论了溅射功率对ＺｎＯ∶Ｚｒ薄膜结构、形貌、光学、 电学性能的影响。实验所获得 ＺｎＯ∶Ｚｒ薄膜的最小电阻率为３.８×１ ０-３Ω?ｃｍ，所有薄膜样品的可见光平均透过率都超过９２％。 １ 实验 用ＪＧＰ５００Ｃ２型高真空多靶位磁控溅射系统在室温水冷玻璃衬底上制 备ＺｎＯ∶Ｚｒ薄膜样品，所用的射频频率为１３.５６ＭＨｚ。系统的本底 真空度为 ９.６×１０-５Ｐａ，溅射压强为１.５Ｐａ，溅射时间４０ｍｉ ｎ。所用ＺｎＯ∶Ｚｒ靶材从中美合资合肥科晶材料技术有限公司购买，由 纯度均为 ９９.９９％的ＺｎＯ和ＺｒＯ２高温烧结而成，其中ＺｒＯ２的 重量比为５％。靶材直径为７５ｍｍ，厚度３ｍｍ，靶与衬底之间的距离４ ０～８０ｍｍ连续可 调。溅射所采用的气体是９９.９９９％的高纯Ａｒ气， 溅射镀膜时Ａｒ流量为２０ｃｍ３／ｍｉｎ，溅射功率介于１２５～３００ Ｗ之间。衬底为７０５９玻璃， 在放入溅射室之前，依次经无水乙醇擦拭， ６０℃丙酮溶液超声清洗１０ｍｉｎ，无水乙醇浸泡２０ｍｉｎ，去离子水 反复冲洗后烘干。 利用ＦＥＩ Ｓｉｒｉｏｎ ２００型热场发射扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和 Ｄ８ ＡＤＶＡＮＣＥ 型Ｘ 射线衍射仪（ＣｕＫα１靶，射线源波长为０. １５４ ０６ ｎｍ）研究ＺｎＯ∶Ｚｒ薄膜的结构和形貌。用ＴＵ-１９０１ 型双光束紫外可见分光光度计测量样品的光学透过率，用ＳＤＹ-４型四探针 测试仪室温下测量薄膜 的方块电阻Ｒ，用ＳＧＣ-１０型薄膜测厚仪（测量 精度＜１ｎｍ）测量薄膜的厚度ｌ，薄膜的电阻率由公式ρ＝Ｒｌ计算得到。 ２ 实验结果与讨论 ２.１ ＺｎＯ∶Ｚｒ 薄膜的结构和形貌 图１ 给出了在室温水冷玻璃衬底上制备的ＺｎＯ:Ｚｒ 透明导电薄膜的Ｘ 射线衍射谱。由图可见，ＺｎＯ∶Ｚｒ薄膜的特征谱线与ＺｎＯ薄膜六角纤 锌矿结构的特征谱线相吻合，说明Ｚｒ４＋离子的掺杂并没有改变ＺｎＯ薄 膜的结构，实 验制备的ＺｎＯ∶Ｚｒ具有六角纤锌矿结构。由于Ｚｒ４＋离 子半径（０.０５９ｎｍ）小于Ｚｎ２＋离子半径（０.０６ｎｍ），并且Ｚ ｎＯ∶Ｚｒ薄膜的Ｘ射线 衍射谱中没有观察到ＺｒＯ２的衍射峰，这表明Ｚ ｒ４＋离子很可能是以替位原子的形式存在于ＺｎＯ∶Ｚｒ薄膜中的。 功率为１２５Ｗ和１７５Ｗ的两个ＺｎＯ∶Ｚｒ薄膜都只存在一个极强的 （００２）晶面衍射峰，说明薄膜具有很好的Ｃ轴择优取向；对应的２θ角、 半高宽分别为 ３４.０２９°、０.６２°和３４.１５２°、０.５３°，半 高宽度比较小，表明实验制备的ＺｎＯ∶Ｚｒ薄膜具有良好的结晶性能；功 率为１７５Ｗ时制备的 ＺｎＯ∶Ｚｒ薄膜的（００２）晶面衍射峰强度是１ ２５Ｗ时的５倍，表明溅射功率增加时，薄膜的晶化程度得以提高。 ＺｎＯ∶Ｚｒ薄膜的晶粒尺寸可以根据Ｓｅｈｅｒｒｅｒ公式Ｄ＝０.８９ λ／（Ｂｃｏｓθ）求得，其中Ｄ为晶粒尺寸，λ为Ｘ射线波长，Ｂ为衍射 峰的半高宽，θ为衍射 峰所对应的衍射角。本实验所制备ＺｎＯ∶Ｚｒ薄膜的晶粒尺寸为１５～２ １ｎｍ，晶粒尺寸较小。图２给出了不同功率下ＺｎＯ∶Ｚｒ薄膜的ＳＥＭ