低温高压快速生长纳米晶硅薄膜中氢作用.docVIP

低温高压快速生长纳米晶硅薄膜中氢的作用.txt年轻的时候拍下许多照片，摆在客厅给别人看;等到老了，才明白照片事拍给自己看的。当大部分的人都在关注你飞得高不高时，只有少部分人关心你飞得累不累，这就是友情！ 本文由piksom贡献 pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 邱胜桦 等 : 低温高压快速生长纳米晶硅薄膜中氢的作用 1839 3 低温高压快速生长纳米晶硅薄膜中氢的作用 邱胜桦1 ,陈城钊1 ,刘翠青1 ,吴燕丹1 ,李 　 1 ,林璇英1 ,2 ,黄 　 2 ,余楚迎2 平 翀 ( 1. 韩山师范学院 物理与电子工程系 ,广东 潮州 521041 ;2. 汕头大学 物理系 ,广东 汕头 515063 ) 摘 　 : 　 Si H4 / H2 为气源 , 用 P ECVD 沉积技术 , 要 以 ) 高压下 ( 230 Pa ) 下制备出优质纳米晶 在低温 ( 200 ℃ 、 硅薄膜 。研究氢在高速生长纳米晶硅薄膜材料中的作 用 。实验表明 ,氢对纳米晶硅薄膜的高速生长起到非 常关键的作用 。随着氢稀释率由 95 %提高至 99 % ,薄 膜的晶化率由 30 %增大到 70 % , 晶粒尺寸由 3. 0nm 增大至 6. 0nm , 而沉积速率却由 0. 8nm/ s 降低至 0. 3 nm/ s 。 关键词 : 　 纳米晶硅薄膜 ; 氢稀释 ; 晶化率 ; RF2P ECVD 中图分类号 : 　TM914. 4 文献标识码 :A 文章编号 :100129731 ( 2008) 1121839204 1　 　 引 言 近年来在硅基光电薄膜制备中常用的方法都是基 于化学气相淀积法 ( CVD) 发展而来的 [ 1～6 ] 。其中射频 等离子体增强化学气相淀积法 ( RF2P ECVD) 制备的薄 膜比用其它方法制备的要好得多 , 比如有较低的隙态 密度和较大的光电导等 , 而且容易实现非晶半导体的 掺杂效应 ,制造出薄膜太阳能电池和薄膜晶体管等电 子器件 。 但传统采用的低温 、 低压 ( 70 Pa ) 的 RF2P ECVD 技术制备的氢化微晶硅薄膜 , 沉积速率很低 ( 0. 02 ～ 0. 05nm/ s) ,这样低的沉积速率影响了生产效率 , 因而 难以形成大规模生产 , 不适合推广应用 。为了提高沉 积速率 ,必须加大射频辉光放电的激励功率 , 然而 , 大 的激励功率可能造成高能量的离子对薄膜生长表面的 轰击 ,影响材料的质量 。为了解决这一矛盾 ,我们采用 高氢稀释 Si H4 ,运用高的反应气压 ( 130 Pa ) ,匹配比 较高的激励功率 ( 70W) , 这样既可加快等离子体区 Si H4 的分解速度 , 同时增加原子氢的密度 , 降低等离 子体中电子温度 , 从而降低离子对薄膜生长表面的轰 表1　 不同氢稀释率下样品的测试结果 Table 1 Test result of t he sample p repared under different H2 dilute ratio 3 基金项目 : 韩山师范学院扶持科研课题资助项目 ( FC200508) ; 韩山师范学院青年科研基金资助项目 ( 0503) 收到初稿日期 :2008205219 收到修改稿日期 :2008207231 通讯作者 : 邱胜桦 作者简介 : 邱胜桦 　(1971 - ) ,男 ,广东潮州人 ,讲师 ,硕士 ,从事硅基光电薄膜的研究 。 ? 1994-2010 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved. 暗电导率 氢稀释率 ( Si H 4 + H 2 ) σ (Ω - 1 ? - 1 ) H2 / cm d 99 1. 35 E26 98 8. 13 E27 97 1. 16 E2 - 7 96 8. 11 E28 95 5. 62 E28 光敏性 σ /σ p d 5. 78 5. 78 7. 58 8. 87 9. 72 激活能 Ea ( eV ) 0. 28 0. 33 0. 47 0. 56 0. 61 击能量 。在我们实验室 , 用常规的 13. 56M Hz 的 RF2 P ECVD 系统 , 在高氢稀释 ( 氢稀释率 95 %) 条件下 , 可以制备出沉积速率达 0. 8nm/ s , 晶化率 60 %的纳 米晶硅薄膜 。本文用 Raman 谱 、 原子力显微镜 、 V2 U 8500 紫外可见光分光光度计等有效分析工具分