电子材料与器件工艺-第二章 外延08.pdf

第二章 外延生长 2.1 硅气相外延概述 2.2 外延生长动力学 2.3外延的掺杂和杂质分布 2.4 外延层的缺陷 2.5外延系统与典型工艺流程 2.6外延层的质量标准及检测方法 2.7硅烷热分解外延简介 2.8分子束外延简介 外 延 定义： 外延 —— 在单晶材料上生长一层新单晶膜，其晶向由衬底向上 延伸。 外延分类： 按材料分： 同质外延 —— 外延单晶与衬底材料相同。 异质外延 —— 外延单晶与衬底材料相异。 外延方式： 气向外延 —— 化学气相反应生成物在衬底上外延生长。 液相外延 —— 从液相中析出，并在单晶衬底上生长外延膜。 固相外延 —— 单晶衬底上的无定型薄膜，经退火形成外延单晶。 气相外延示意图 液相外延示意图 固相外延示意图 电子材料与器件工艺——第二章 外延生长 3 外延优越性 外延技术能在高掺杂的衬底 (电阻率为0.01- 0.001Ωcm ）上生长几个μ m厚的低掺杂的 外延层。 利用外延技术成功地解决了器件之间的隔 离问题。 外延也增大了工艺设计的灵活性。 电子材料与器件工艺——第二章 外延生长 4 2.1 硅气相外延概述 1. 气相外延系统 卧式：结构简单，维修简单。 竖式：均匀性好，易维修。 桶式：均匀性好，生产效率高， 维修困难。 电子材料与器件工艺——第二章 外延生长 5 2. SiCl , SiH 外延 4 4 （1）SiCl 还原Si外延原理 4 SiCl +2H ⇄Si+4HCl ↑ (可逆) 4 2 SiCl + Si → 2SiCl 4 2 SiCl 外延工艺对衬底Si有腐蚀 4 Y ＜ 0.1: Y ↑→V ↑ SiCl4 SiCl4 G 0.1＜ Y ＜ 0.28: Y ↑→V ↓ SiCl4 SiCl4 G Y ＞ 0.28: V ＞V SiCl4 E G 生产上：YSiCl4 （0.005-0.01） （2）SiH → Si + 2H ↑ 4 2 电子材料与器件工艺——第二章 外延生长 6 2.2 外延生长动力学 1. Si气相外延中的多相过程 反应剂向生长表面传输 反应剂在表面吸附 已吸附的反应剂在表面发生化学反应 反应生成的副产物在表面脱附 反应副产物随主气流排出 硅原子在表面迁移并在晶格上定位 电子材料与器件工艺——第二章 外延生长 7 电子材料与器件工艺——第二章 外延生长