硅靶中频反应磁控溅射二氧化硅薄膜特性的研究.pdfVIP

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2017-08-30 发布于安徽
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硅靶中频反应磁控溅射二氧化硅薄膜特性的研究.pdf

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第 5 期　　　　　　　　　　　　　　　　　　真　空　　VACUUM 2001 年 10 月 1 硅靶中频反应磁控溅射二氧化硅薄膜的特性研究 1 2 1 2 1 1 1 1 2 许　生 , 侯晓波 , 范垂祯 , 赵　来 , 周海军 , 吴克坚 , 高文波 , 颜远全 , 查良镇 ( 1 深圳豪威真空光电子股份有限公司, 广东　深圳　518057; 　2 清华大学电子工程系, 北京　100080) 摘　要: 报道了中频双靶反应磁控溅射制备二氧化硅( SiO 2 ) 薄膜的装置、工艺及薄膜特性。对制备的 SiO 2 薄膜的化学配比和元素化学态进行了和分析, 测试了膜层对钠离子( + ) 阻挡性能、光学折射率和 SAM XPS N a 可见光的透过率。研究表明作者开发的中频双靶反应磁控溅射沉积 SiO 2 薄膜的设备和工艺可以高速率、大面积制备高质量的 SiO 2 膜。关键词: 反应磁控溅射; 二氧化硅特性中图分类号: TB 43　　　　文献标识码: A 　　　　文章编号:(2001) 2 - Character istics of SiO f ilm deposited by m ed ium frequency reactive magnetron sputter ing with Si target 1 2 1 2 1 1 , , , , , , XU Sheng HOU X iao bo FAN Chu i zhen ZHAO L ai ZHOU H ai jiun W U Ke jian 1 1 2 , , GAO W en bo YAN Yuan quan ZHA L iang zhen ( 　　　 1 . , , 518057, ; S henz hen H IV A C V acuum P hoto E lectron ics Co L td S henz hen Ch ina 　 2 , , 100080, )