微波等离子体化学气相沉积法制备图形化碳纳米管阵列.pdfVIP

∗微波等离子体化学气相沉积法制备图形化碳纳米管 阵列 赵约瑟 曾葆青 杨中海 赵艳珩 张文锋 (电子科技大学物理电子学院 四川 成都 610054) 摘 要：应用微波等 离子体化学气相沉积法 （MPCVD ）在含有图案化的Ni催化剂薄膜上选 择性的沉积了定向有序碳纳米管阵列。甲烷（CH ）和氢气 （H）作为反应气体，通过扫描 4 2 电镜观察到所沉积的碳纳米管阵列仅仅生长在沉积有Ni催化剂的图案上，实现了碳纳米管 的选择性生长及可控生长。同时对碳纳米管的生长机理进行了探讨，发现等离子的位置对 碳纳米管的生长具有很大的影响，只有等离子体在基片的上方的时候才能够生长出定向有 序的碳纳米管阵列。 关键词：微波等离子体，碳纳米管，选择面积生长，生长机理 一．前言 自 1991 年日本电镜学家Iijima发现碳纳米管以来，由于碳纳米管具有许 多独特的性质和广泛的应用前景，例如：电子场发射[1-5]、扫描探针和传感器[6， 7]、氢存储[8-10]、纳米电子器件[11-13]。因此它受到了科学家的广泛的关注和研究。 特别是碳纳米管可用作场发射平板显示器的尖端发射体，这一应用是迄今为止 碳纳米管唯一的商业应用。 选择面积生长定向碳纳米管阵列是制造基于碳纳米管场发射显示器的关 键技术，同时也是实现基于碳纳米管的微电子器件的必要条件。目前，定向碳 纳米管的制备方法只要分为以介孔材料为基板的化学气相沉积法和以非介孔材 料为基板的化学气相沉积法。其中，非介孔材料为基板合成碳纳米管阵列的工 艺简单，可以合成直径比较大的碳纳米管。本文通过磁控溅射手段，在 Si 片上 沉积图案化的 Ni 膜，采用微波等离子体化学气相沉积法制备出了图形化定向有 序碳纳米管阵列。同时本文还对定向碳纳米管的生长机理进行了讨论。 二．实验过程 1．实验材料 采用磁控溅射的方法在 Si 片沉积了厚度为 500nm 的 10um*100um 的长方行 Ni 薄膜共 100 个。 甲烷做为生长气体，氢气作为稀释气体，同时氢气在生长过程中还起到还 原作用。合成碳纳米管的设备为本实验市自行研制的微波等离子体化学气相沉 积装置（图 1），甲烷和氢气的纯度均大于 99.99%. 2.操作过程 在衬底放入生长室之前先使用丙酮和酒精顺序在超声水域中进行清洗各 10min，以去掉衬底表面的油污和灰尘。将衬底放入生长室的样品台上，生长室 被预抽真空到 2Pa，然后通入H2 ，流量为 100sccm，将气压升至 5.0Kpa，这时用 1000W的微波功率激发反应气体，产生了悬浮在基底上方的强烈的高活性等离子 ∗本文曾在第十二届全国微波能应用学术会议上交流 -1- 体球，H 等离子体球处理衬底 1 小时后，通过调节短路活塞，使等离子体的底 2 部与基片相距约 10mm的距离，在微波功率、压强和H 流量不变的情况下，通入 2 生长气体CH4 ，流量为 20sccm，生长时间为 10min。 所获得的样品用扫描电子显微镜观察其表面形貌。 图 1：微波等离子体化学气相沉积装置 三.结果分析与讨论 图 2：图案化碳纳米管阵