溅射SiGe薄膜及等时等温退火效应.pdfVIP

第 27 卷 　第 5 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 27 　No . 5 2006 年 5 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS May ,2006 溅射 Si Ge 薄膜及其等时等温退火效应 1 , 2 1 1 2 王光伟 　茹国平 　张建民 　曹继华 　李炳宗 ( 1 天津工程师范大学电子工程系 , 天津 　300222) (2 上海复旦大学微电子学系 , 上海 　200433) 摘要 : 分别在 nSi ( 100) 和 SiO2 衬底上用离子束溅射法淀积 Si Ge 薄膜. 用俄歇电子谱测定薄膜 Ge 含量为 15 %～ 16 %. 对样品进行常规炉退火以考察退火温度和时间对薄膜结晶度的影响. 采用 X 射线衍射确定薄膜物相. 发现在 同样退火条件下 , Si Ge 在 nSi 衬底上比 SiO2 上有更高的结晶度. 通过曲线拟合 ,得到平均晶粒尺寸与退火温度和 时间的依赖关系分别是自然指数和近线性的抛物线函数. 推断出溅射 Si Ge 薄膜的热退火结晶可能是晶粒生长控 制过程. 关键词 : Si Ge 薄膜 ; 离子束溅射 ; 炉退火 ; 晶粒生长 ; 半导体材料 PACC : 6800 ; 8140 ; 8115C 中图分类号 : TN 304055 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2006) ( ) ( ) 相沉积 P ECVD 的非晶 Si Ge aSi1 - x Gex ∶H 薄 1 　引言 膜的 SPC 行为 ,证实晶粒大小与薄膜最初的无序度 及 Ge 含量有关[ 13 ] . 还有许多关于 Si Ge 薄膜 SPC ( ) 活性矩阵液晶显示器 A ML CD 的基本工作单 的文献报道 ,限于篇幅不一一列举. 迄今为止 ,从文 ( ) 元是薄膜晶体管 TF T . TF T 有源层通常是用非晶 献资料看 ,有关离子束溅射 Si Ge 薄膜 CFA 的研究 Si 或多晶 Si 制作的. TF T 技术的两大趋势是更低 尚少. 的工艺温度和衬底大面积化. 低温工艺允许 TF T 本文研究目的是 CFA 对离子束溅射 Si Ge 薄膜 做在玻璃和塑料等一些低成本衬底上 ,这些衬底材 平均晶粒大小和载流子迁移率的影响 , 即考察平均 料在大面积电子学中发挥重要作用. 一般来说 ,较低 晶粒尺寸和载流子迁移率与退火时间及温度之间的 温度下制备的薄膜 ,其结晶度也较低. 在衬底上成核 函数关系. 后 ,有必要采取措施促使晶粒长大 以满足器件要 求[ 1 ] . 过去几年里 , 人们对 多 晶 Si Ge (p olySi1 - x