模拟电子技术基础复习课.pptVIP

模拟电子技术基础复习课 2011-2012（2） 10电信1班 10电气2班 第一章 半导体器件 第二章 放大电路的基本原理和分析方法 第四章 功率放大器 第五章 集成运放电路 第六章 放大电路中的反馈 第九章 波形发生电路 第十章 直流电源 二．反馈的形式和判断 1. 反馈的范围----本级或级间。 2. 反馈的性质----交流、直流或交直流。 直流通路中存在反馈则为直流反馈， 交流通路中存在反馈则为交流反馈， 交、直流通路中都存在反馈则为交、直流反馈。 3. 反馈的取样---- 电压反馈：反馈量取样于输出电压；具有稳定输出电压的作用。（输出短路时反馈消失） 电流反馈：反馈量取样于输出电流。具有稳定输出电流的作用。（输出短路时反馈不消失） 5. 反馈极性-----瞬时极性法： （1）假定某输入信号在某瞬时的极性为正（用+表示），并设信号的频率在中频段。 （2）根据该极性，逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性（升高用 + 表示，降低用 － 表示）。 （3）确定反馈信号的极性。 （4）根据Xi 与Xf 的极性，确定净输入信号的大小。Xid 减小为负反馈；Xid 增大为正反馈。 4. 反馈的方式---- 并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电流形式相叠加。Rs越大反馈效果越好。（反馈信号反馈到输入端） 串联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电压的形式相叠加。Rs越小反馈效果越好。（反馈信号反馈到非输入端） 三. 负反馈对放大电路性能的影响 1、提高放大倍数的稳定性 2、扩展频带 3、减小非线性失真及抑制干扰和噪声 4、改变放大电路的输入、输出电阻 *串联负反馈使输入电阻增加1+AF倍 *并联负反馈使输入电阻减小1+AF倍 *电压负反馈使输出电阻减小1+AF倍 *电流负反馈使输出电阻增加1+AF倍 四、深度负反馈条件下闭环电压放大倍数的估算 （1）电压串联负反馈电路可直接用 计算； （2）其他三种反馈组态的电路需用 来求解。 五. 自激振荡产生的原因和条件 产生自激振荡的原因： 附加相移将负反馈转化为正反馈。 2.产生自激振荡的条件 若表示为幅值和相位的条件则为： 二、集成运放的电压传输特性 当uI在+Uim与-Uim之间，运放工作在线性区域 ： 、理想集成运放的参数及分析方法 1. 理想集成运放的参数特征 * 开环电压放大倍数 Aod→∞； * 差模输入电阻 Rid→∞； * 输出电阻 Ro→0； * 共模抑制比KCMR→∞； 第七章 模拟信号运算电路 分析依据------ “虚断”和“虚短” 2. 理想集成运放的分析方法 1) 运放工作在线性区: * 电路特征——引入负反馈 * 电路特点——“虚短”和“虚断”: “虚断” --- “虚短” --- 2) 运放工作在非线性区 * 电路特征——开环或引入正反馈 * 电路特点——输出电压的两种饱和状态: 当u+u-时，uo=+Uom 当u+u-时，uo=-Uom 两输入端的输入电流为零: i+=i-=0 三、基本运算电路 反相比例运算电路 R2 =R1//Rf 2.同相比例运算电路 R2=R1//Rf 分析依据------ “虚断”和“虚短” * * 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。 (如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子 ----空穴(带正电)和电子（带负电） 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 　*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 　*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 7. PN结 * PN结的接触电位差 ---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。